[发明专利]处理流体中半导体晶片的方法和装置

权利要求书

1．一种用于使沉浸在含水漂洗槽液中的一个或多个半导体晶片干燥方法，包括：

将密度小于水的有机干燥溶剂加入到所述槽液中以在所述槽中形成下层含水层和上层有机层，所述晶片完全保持浸渍在所述下层含水层，及：

将所述晶片通过所述上层有机层从所述下层含水层中提升出。

2．根据权利要求1所述干燥方法，其进一步包括从所述槽液中移出所述晶片并在所述槽液之外完成干燥。

3．根据权利要求1所述干燥方法，其进一步包括在加入有机溶剂之前进行的一个或多个湿法处理步骤。

4．根据权利要求1所述干燥方法，其进一步包括蒸发干燥步骤，其中臭氧流在所述晶片表面上通过。

5．根据权利要求1所述干燥方法，其进一步包括一个使保留在晶片表面的有机干燥溶剂蒸发的步骤，其中所述蒸发是通过将所述晶片暴露在红外线光源而被加速的。

6．根据权利要求1所述干燥方法，其中所述有机干燥溶剂是带有大于5个碳链的不可溶支链烃，密度小于水。

7．根据权利要求6所述干燥方法，其中所述有机干燥溶剂是癸烷或2-壬酮。

8．根据权利要求1所述干燥方法，其中所述含水漂洗槽液是去离子水。

9．一种用于干燥半导体晶片表面的装置，包括：一种用于盛有所述晶片与含水漂洗液体相接触的槽；将液体有机溶剂引入所述槽的装置，以便使槽中形成上层液体有机溶剂层；将所述晶片通过所述上层液体有机溶剂层从所述的含水有机漂洗液体中提升出来的装置；

与槽相连用于将下层液体提供到槽中的装置；

与槽相连用于将所述气体注入槽的装置；以及

用于将该气体扩散进槽以便使该气体被吸入该液体并与放置在槽中的每个晶片表面接触的装置；

所述扩散装置包括有一个复合元件，复合元件具有一个可渗透构件及一个不可渗透构件，所述可渗透构件具有顶部和底部、在可渗透构件的中心部分确定的一开放空间、及确定的沟槽，沟槽定位于可渗透构件的外部周边与确定开放空间之间可渗透构件的顶部上，所述不可渗透构件具有在不可渗透构件的中心部分确定的一开放空间，与在可渗透构件的中心部分确定一开放空间相对应，可渗透构件与不可渗透构件结合在一起使得在可渗透构件顶部上的沟槽被不可渗透构件所覆盖，以及复合元件用与槽底部相连的可渗透构件的底部来定位。

10．根据权利要求9所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其中可渗透装置和渗透装置都包括由聚四氟乙烯及全氟烷氧基乙烯醚的混合物。

11．根据权利要求9所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其中所述槽包括第一侧端和第二侧端，槽的第一侧端在槽的顶部具有垂直部分，在槽的底部具有向内缩减的部分，缩减部分长于垂直部分，槽的第二侧端在槽的顶部具有垂直部分，在槽的底部具有各内缩减的部分，缩减部分短于垂直部分。

12．根据权利要求11所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其进一步包括位于槽第一侧端向内缩减部分的高声波换能器。

13．根据权利要求9所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其进一步包括位于槽内部在用于扩散气体的装置的上方的紫外线光源。

14．根据权利要求9所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其中用于注入气体的装置设置在用于扩散气体的装置之下，以便使气体向上被注入扩散装置。

15．根据权利要求14所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其中用于将流体提供入槽的装置提供第一方向上的流体流动而用于将气体注入槽的装置提供第二方向上的气体与流体流动相反的流动。

16．根据权利要求9所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其中用于将气体注入槽的装置提供单个气体或是一个以上的不同气体组合的气体。

17．根据权利要求9所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其进一步包括排泄装置。

18．根据权利要求9所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其进一步包括用于覆盖所述槽的盖。

19．根据权利要求18所述用于干燥半导体晶片表面的装置，其所述盖子上装备有红外线光灯。