[发明专利]由降冰片烯官能性单体制得的加成聚合物及其制备方法无效

专利信息
申请号: 94194161.2 申请日: 1994-11-15
公开(公告)号: CN1046294C 公开(公告)日: 1999-11-10
发明(设计)人: B·L·古德尔;G·M·本尼迪克特;L·H·麦金托什;D·A·巴恩斯;L·F·罗德斯 申请(专利权)人: B·F·谷德里奇公司
主分类号: C08F32/08 分类号: C08F32/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 任宗华
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 冰片 官能 体制 加成 聚合物 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种加成聚合物,它基本上由一种或多种降冰片烯官能化单体以及必要时一种或多种单环烯烃生成的重复单元组成,而由链转移剂得到的烯属部分端接,链转移剂选自在相邻碳原子之间有末端烯属双键,但不包括苯乙烯、乙烯基醚和共轭双烯,以及至少一个所述的相邻碳原子有两个氢原子连接于其上的化合物,其中所述链转移剂得到的部分只在所述聚合物的末端。

2.根据权利要求1的加成聚合物,其中所述的降冰片烯官能单体选自下式表示的化合物:式中R4、R4′、R5和R5′各自独立表示氢、卤素、分支的和未分支的C1~C20烷基、C1~C20卤代烷基、取代的和未取代的环烷基、C1~C6亚烷基、C6~C40芳基、C6~C40卤代芳基、C7~C15芳烷基、C7~C15卤代芳烷基、C2~C20炔基、乙烯基、C3~C20链烯基,条件是链烯基不含末端双键、式-CnF2n+1的卤代烷基,其中n为1~20,R4和R5当它们连接在两个环碳原子上时表示饱和的和不饱和的含有4~12碳原子的环基或含6~17个碳原子的芳环,“a”表示单键或双键,以及“z”为1~5;当R4、R4′、R5和R5'表示亚烷基时,连接到亚烷基的碳原子不能有另外的取代基,以及当“a”是双键时,R4和R5不能为亚烷基。

3.根据权利要求2的加成聚合物,其中所述的降冰片烯官能单体选自(a)降冰片烯;(b)选自分支的和未分支的C1~C20烷基降冰片烯,分支的和未分支的C1~C20卤代烷基降冰片烯、C1~C6亚烷基降冰片烯、乙烯基降冰片烯的取代的降冰片烯;(c)四环十二烯和选自分支的和未分支的C1~C20烷基四环十二烯、C1~C6亚烷基四环十二烯的取代的四环十二烯;(d)双环戊二烯;(e)降冰片二烯;(f)四环十二碳二烯;(g)对称的和不对称的环戊二烯三聚体;及其混合物。

4.根据权利要求1、2或3的加成聚合物,其中所述的单环烯烃选自环丁烯、环戊烯、环庚烯、环辛烯及其混合物。

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