[发明专利]辐射探测器及探测方法无效
| 申请号： | 94194317.8 | 申请日： | 1994-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1040363C | 公开（公告）日： | 1998-10-21 |
| 发明（设计）人： | 朱卡·卡西莱宁 | 申请（专利权）人： | 拉多斯技术公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 探测器 探测 方法 | ||
1、一种由带浮动栅(13)的MOSFET晶体管(10)组成的离子辐射探测器，其特征在于所述的浮动栅(13)的表面位于一个空间中，并且所述辐射探测器还包括用于在浮动栅(13)上形成初始电荷的装置及当晶体管(10)暴露到离子辐射中时用来探测电荷的减少的装置。
2、如权利要求1的辐射探测器，其特征在于所述MOSFET晶体管(10)的浮动栅表面的至少一部分是未被覆盖的。
3、如权利要求1的辐射探测器，其特征在于所述MOSFET晶体管(10)的浮动栅表面的至少一部分是被导体，半导体或绝缘薄膜覆盖的。
4、如权利要求1的辐射探测器，其特征在于所述的空间是一个开放的空气或气体空间。
5、如权利要求1的辐射探测器，其特征在于所述的空间是一个封闭的空气或气体空间。
6、如权利要求4的辐射探测器，其特征在于所述的空气或气体空间前有一块固体平板。
7、用权利要求1的由带浮动栅(13)的MOSFET晶体管(10)组成的探测器来探测离子辐射的方法，其特征在于包括步骤：
1)在所述MOSFET晶体管(10)的浮动栅(13)上形成所需的电荷；
2)将所述MOSFET晶体管暴露到待被测量的离子辐射中，从而导致辐射上的电荷发生变化；
3)测定出浮动栅(13)上的电荷变化；以及
4)根据测定出的浮动栅(13)上的电荷变化确定出辐射剂量。
8、如权利要求7的方法，其特征在于其中所述的形成想要的电荷的步骤通过FN隧道贯穿技术完成。
9、如权利要求7的方法，其特征在于所述测定浮动栅(13)上的电荷变化是通过测量浮动栅上的漏-源沟道导电率而得到的。
10、如权利要求7的方法，其特征在于所述测定浮动栅(13)上的电荷变化是通过测量浮动栅上的极电位变化而得到的。
11、如权利要求7的方法，其特征在于所述确定辐射剂量的步骤通过电流-辐射剂量关系曲线而完成。
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