[发明专利]化学处理基片的方法和装置无效
申请号: | 94195079.4 | 申请日: | 1994-05-17 |
公开(公告)号: | CN1047870C | 公开(公告)日: | 1999-12-29 |
发明(设计)人: | R·施尔德;M·科扎克;J·德斯特 | 申请(专利权)人: | 施蒂格微技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘元金,吴大建 |
地址: | 德国普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 处理 方法 装置 | ||
1.化学处理基片(2)的方法,其中至少将一块基片(2)顺次经化学处理,洗涤处理和干燥处理,其特征在于该化学处理和洗涤处理是在同一个贮槽(10)中进行,该干燥处理是通过从贮槽(10)中缓慢地移出基片(2)来进行的,以及在从贮槽(10)移出基片(2)时,通过在罩子(12)内的定位装置(51)来固定基片(2)。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于在贮槽(10)中的用于化学处理的流体被另外的这种用于化学处理的流体和/或用于洗涤的流体分别地取代和部分地取代。
3.根据权利要求1或2的方法,其特征在于干燥处理是在基片(2)从洗涤流体中移出的过程中进行的。
4.根据权利要求1的方法,其特征在于采用一种不凝结在基片(2)上而可扩散进入洗涤流体的蒸气。
5.根据权利要求4的方法,其特征在于蒸气和洗涤流体的混合物具有比洗涤流体小的表面张力。
6.根据权利要求1的方法,其特征在于用于化学处理的流体被用于这种化学处理的另外的流体和/或洗涤流体来取代是通过置换方法进行的。
7.根据权利要求1的方法,其特征在于将洗涤流体引入贮槽(10)是与分别用于化学处理的流体的混合物或用于化学处理的流体和洗涤的流体的混合物的排放同时进行。
8.根据权利要求7的方法,其特征在于另外的流体或洗涤流体的分别引入和用于化学处理的流体的排放在贮槽(10)的不同部位进行。
9.根据权利要求7的方法,其特征在于另外的流体或洗涤流体的分别引入在贮槽(10)的底部进行。
10.根据权利要求7的方法,其特征在于所述的混合物通过溢流排放。
11.根据权利要求2的方法,其特征在于用于化学处理的流体是稀释的氢氟酸。
12.根据权利要求2的方法,其特征在于用于化学处理的流体是臭氧。
13.根据权利要求1的方法,其特征在于在贮槽(10)中的该基片(2)在插入和/或和移出的过程中是通过接受装置(42、43、44)来固定的。
14.根据权利要求13的方法,其特征在于该接受装置具有刀片(42)和支架(42、43)。
15.根据权利要求14的方法,其特征在于该刀片(42)和支架(43、44)把基片提升到由罩子(12)内的定位装置(51)固定的程度。
16.根据权利要求1的方法,其特征在于基片(2)移出之后,可移动的支座(70、71)可被移到基片下面,并将其固定在该位置。
17.根据权利要求1的方法,其特征在于洗涤过程用强声波处理的方法来增强。
18.用于化学处理基片(2)的装置(1),该装置包括:
-用于引导(25、30、31、35、36、37、38、49、40)的流体进入贮槽(10)的装置;
-用于从贮槽(10)排放(7、23)流体的装置;
-用于基片(2)的接受装置(42、43、44);
-在贮槽(10)之上的蒸发装置;
-在贮槽(10)和蒸发装置之上的罩子(12)该罩子(12)提供在贮槽(10)之上的区域中的密集的蒸气气氛并引蒸气入该罩子(12)之中;以及
-在罩子(12)中用于固定基片(2)的定位装置(51)。
19.根据权利要求18的装置(1),其特征在于用于排放的装置(7、23)是一种溢流装置(23)。
20.根据权利要求19的装置(1),其特征在于提供了一个外贮槽。
21.根据权利要求18的装置(1),其特征在于该装置具有调平螺旋,以使贮槽保持水平。
22.根据权利要求18的装置(1),其特征在于用于引入(25、30、31、35、36、37、38、49、40)的装置包括一个扩散器(25)。
23.根据权利要求18的装置(1),其特征在于用于引入(25、30、31、35、36、37、38、49、40)的装置是一台带有插入机械装置(26)的泵(36)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造