[实用新型]高解析度硅晶密合式线型影像传感器

说明书

本实用新型是一种影像传感器，尤指一种利用多个相同结构的硅晶传感器晶片，整齐地排成一直线并粘结在绝缘基板上，形成与原稿等长的线型传感器，以自我扫描的方式，将原搞的影像转换成电子信号的高解析度影像传递器件。

现有影像扫描器等使用的影像传感器如图6所示，传感器为线性电耦合器（LinearCCD）（1），原稿（2）在光源（3）照射下，其影像经由缩小透镜（4），以约略9：1的比例，传送到电耦合器上，达到300DPI或400    DPI（DOT    PER    INCH）的解折度要求；然而上述扫描器因为缩小透镜（4）视角的限制，原稿（2）至电耦合器（1）间必须维持约30公分的距离，才能达到影像缩小读取的目的，此项距离要求，占用产品体积，限制产品往轻薄短小方向发展。另一项缺点是电耦合器及缩小透镜（4）在扫描器等系统上组装时，准确定位及焦距点的调整相当困难；创作人鉴于此特提供一种可解决目前线性电耦合器－缩小透镜式系统的缺点的高解析度影像传感器。

本实用新型的目的是提供一种高解析度硅晶密合式线型影像传感器，传感器与原稿等长，由柱状透镜将原稿影像以1：1方式传送到传感器，从而缩短原稿至主传感器间的距离，形成体积极小，且传感器、透镜、光源、玻璃等整体组成为模块的传感器器件。

本实用新型影像传感器的构造为具有解折度为等于或大于300DPI（每英寸300点），包含有多个结构相同的硅晶传感器晶片及外围电路，

所述多个硅晶传感器晶片直线排列粘结在绝缘基板上，形成与被测原件等长的线型影像传感器；

所述传感器晶片，每一个晶片上直线排列多个传感元件，其输出连接到一共用输出信号线上；在该共用输出信号线与地之间连接有一蓄积电容，该蓄积电容将所述传感元件的电荷输出转换成电压；与该蓄积电容并联连接一模拟信号重设开关；

所述共用输出信号线与一放大器相连，该放大器输出一串列模拟影像信号。

由于具有上述结构，所以可将传感器至被测原件之间的距离缩短到2公分之内，体积极小，且将传感器、透镜、光源、玻璃等整合为一体成为模块，从而可取代目前的整个光学扫描系统，生产组装时不需光学焦距调整，简化了扫描器等的设计，缩小产品体积，并提高了生产组装效率。

附图说明：

图1是本实用新型的线路图，包含密度的传感器晶片及外围线路图。

图2是本实用新型的传感器晶片的线路图，包含一串列的光传感元件、模拟开关、寄存器、及驱动线路图／控制线路。

图3是本实用新型的传感器晶片的时序图。

图4是本实用新型的传感器的传感元件的配列图，包含邻近两个相接合的传感器晶片。

图5是本实用新型的传感器，配合1：1柱状透镜及光源组装成模块的系统构造。

图6是现有的线性电耦合器及缩小透镜的系统构造。

下面配合附图，详述本实用新型的实施例：

图1为本实用新型的线路图，包含密接的传感器晶片及外围线路图。其中1a，1b……1m为硅晶传感器晶片；21～25为外围线路装置，且21为驱动元件，22为信号放大器，23为信号重设开关，24为蓄积电容，25为去除信号耦合用的电容，26为输出信号线，31为印刷电路板（PCB）或厚膜印刷陶瓷基板。

硅晶传感器晶片1a，1b……1m排列成一直线并粘结在基板31上，每个晶片结构相同，晶片上有多数个传感元件，以约略相等的距离排列成一直线，因此多数个传感器晶片1a，1b……1m排列在一起就形成一长距离的线型影像传感器，感测距离的长短由传感器晶片排列的数量多少来决定，例如单一传感器晶片的长度为8mm，若排列27个晶片，则感测长度为216mm，亦即A4纸张的宽度。

电源（Vdd）及地线（GND）连接到每一个传感器晶片上，时钟信号（CLK）经由驱动器21也连接到每一个晶片上，起动脉冲（SI）经由驱动器21连接到第一个晶片上，输出信号则由每一个传感器晶片引出，连接到共通的信号线26上，传感器晶片与基板31间信号的连接，通常是以25μm的金线或铝线以自动接线方式连结。

当起动脉冲SI进入第一个晶片1a后，该晶片上的传感元件就依序将感测的电荷输出到信号线26，此电荷在蓄积电容24上形成电压Vso，Vso再经放大22放大后成为Vout，即为传感器的输出信号，重设开关23是将每一个传感元件在蓄积电容24上的电压重设让蓄积电容24供下一个传感元件的电荷蓄积使用。