[实用新型]测量防中子辐射材料屏蔽性能的装置无效
申请号: | 94208221.4 | 申请日: | 1994-05-05 |
公开(公告)号: | CN2194511Y | 公开(公告)日: | 1995-04-12 |
发明(设计)人: | 郑金美;王炳林;张荫芬;郭秀英;尚宏忠;宁静;温琛林 | 申请(专利权)人: | 北京市射线应用研究中心 |
主分类号: | G01N23/09 | 分类号: | G01N23/09;G01T3/00 |
代理公司: | 北京市专利事务所 | 代理人: | 张卫华 |
地址: | 100012*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 中子 辐射 材料 屏蔽 性能 装置 | ||
本实用新型涉及测量防中子辐射屏蔽材料的屏蔽性能的装置。
至今我们还没有看到有关防核辐射材料屏蔽性能的测量装置的报道。目前,为了测试材料防中子辐射的屏蔽性能,需使用核反应堆,其缺陷是:因反应堆不易搬动,故测试只能在反应堆上进行;因反应堆引出中子束的准直孔一般是不可变的,这样就对被测材料的尺寸有一定限制;又因反应堆产生的中子辐射受多种因素影响,故其稳定性差。
有鉴于此,本实用新型将提供一种测量防中子辐射屏蔽材料的屏蔽性能的装置,它可测量中子注量、中子剂量的削弱系数。
本实用新型的目的是这样实现的:一种测量防中子辐射屏蔽材料屏蔽性能的装置由石蜡堆、同位素中子源、中子源导管、内准直器、外准直器、影锥体和探测器组成。所说同位素中子源装在所说中子源导管内并插于所说石蜡堆中;所说石蜡堆有一深及所说中子源导管的开口,该开口中安放带中心通孔的内准直器;所说外准直器的中间开通孔,其入口对准所说内准直器的通孔,其出口可供所说影锥体的小径端插入;所说探测器位于所说影锥体的大径端之后。同位素中子源2为锎中子源。
以下结合附图和实施例对本实用新型作详细描述。
图1是本实用新型的结构示意图。
如图中所示,本实用新型由石蜡堆1、同位素中子源2、中子源导管3、内准直器4、圆柱形外准直器6、影锥体7和探测器8组成。为了更好地屏蔽中子和γ辐射,石蜡堆采用两层结构:内层是重水泥;外层由石蜡加少量硼沙组成。锎中子源 装在中子源导管3内并插于石蜡堆1中,石蜡堆有一深及中子源导管3的开口1′,该开口中安放带中心通孔的内准直器4,外准直器6的中间开通孔,其入口对准内准直器4的通孔,其出口可供影锥体7的小径端插入,探测器8则位于影锥体7的大径端之后。内准直器4和外准直器6均由石蜡加少量硼沙构成。
石蜡准直器的长度不小于500mm,其形状也可根据被测材料的形状而制作,为便于搬运和操作,它可由若干可拆部件组成。
平时锎中子源 放于中子源导管3的下部。测量时,将锎中子源 提到内准直器4的中心通孔处,将待测材料5紧置于内准直器4的外侧,依序置内准直器4、外准直器6和探测器8于同一轴线上,此后由探测器8可测得无屏蔽材料和有屏蔽材料时的粒子计数值N0和N,复将影锥体7的小径端插入外准直器的出口处,则又可测得无屏蔽材料和有屏蔽材料时的本底计数值N0b和Nb。这样由下式便可计算出中子注量或剂量的削弱系数f:
f=(N0-N0b)/(N-Nb)
本实用新型的优点是:
1.装置采用同位素中子源,与反应堆、加速器产生的中子相比,具有辐射稳定、操作简便、不受许多因素影响等优点,所以测量的准确度可大大提高;所采用的锎中子源和其它的同位素中子源相比,又有比活度高、γ射线少、中子能谱已知的优点;
2.安放在石蜡堆开口中的内准直器4可取出,因此可选用不同孔径的内准直器来适应待测材料的尺寸;并且若在内准直器中加上不同厚度的慢化剂(如石蜡),就可得到不同能谱的中子辐射场,并可用理论计算方法较确切地知道慢化后的中子辐射能谱;
3.由于待测材料与探测仪器之间装有外准直器,因此可准确地扣除本底的影响,提高测量精度。
4.根据所选用的锎中子源的大小,按防护的要求,可适当选用石蜡堆的大小,这样便于搬动石蜡堆以实现现场测试。
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