[实用新型]平面型硅抗电涌器件无效
| 申请号： | 94226596.3 | 申请日： | 1994-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN2181754Y | 公开（公告）日： | 1994-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘光廷;詹娟 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/58 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,王睿 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 型硅抗电涌 器件 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于雷达、程控交换机等电子设备上的平面型硅抗电涌器件，由N型硅衬底、P型扩散区、N+型扩散区和金属电极构成，其特征在于N型硅衬底的正反面有对称的P型扩散区，两个P型扩散区内的N+型扩散区呈转动180°对称分布，P区边缘设有P+截止环，P+截止环外设有P型分压环，N+区内有规则排列的短路点，在P+截止环和P型分压环表面设有氧化层。
2、根据权利要求1所述的平面型硅抗电涌器件，其特征在于内引线采用磁控溅射Ni－Sn合金。
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