[实用新型]晶体管脉宽调速装置保护器无效

专利信息
申请号: 94236279.9 申请日: 1994-12-29
公开(公告)号: CN2214714Y 公开(公告)日: 1995-12-06
发明(设计)人: 裴广杰 申请(专利权)人: 裴广杰
主分类号: H02P7/622 分类号: H02P7/622
代理公司: 荆门市专利代理事务所 代理人: 裴作平
地址: 4482*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 晶体管 调速 装置 保护
【说明书】:

实用新型涉及直流电机调速装置的保护领域。

目前,直流电机调速装置在制动时,所产生的瞬时电流大于额定电流的2-3倍,电压也相应提高2-3倍,导致电机调速装置中的大功率晶体管易烧坏,且多系进口管,既耗费资金,也影响生产。

本实用新型的目的就是针对现有直流电机调速装置上述之不足,而提供一种调速装置的保护器,使瞬时电流降低50%,电压等于额定电压值,可以使调速装置的晶体管使用寿命延长10-15倍。

本实用新型的技术方案是:晶体管脉宽调速装置保护器,包括电机M、晶体管脉宽调速装置A和保护器B,其特征在于保护器B由电阻R1和可控硅短接电路组成,可控硅短接电路由电阻R2、R3、R4、可控硅T、 二极管D和开关K1、K2组成,可控硅T与电阻R1并接, 可控硅阴极接电机M的线圈端子,阳极接晶体管脉宽调速装置A输出端,电阻R2的一端接可控硅T的控制极,另一端通过开关K1接可控硅T的阳极,二极管D与电阻R4并接后,二极管D的正极接可控 硅T的阴极,其负极接可控硅T的控制极,开关K2跨接在可控硅T的阳极和阴极之间。电阻R2上可以并接一个串接有开关K3的电阻R3。可以在电阻R1上反并一个可控硅短接电路,用于电枢可逆式和电机。可控硅T还可以由晶体管、继电器、接触器或开关来代替。

附图为本实用新型的电路原理图。

实施例:不可逆电机调速装置保护器。可控硅T选用KP200A-700V,二极管D 选用ZP1、500V,电阻R1为ZB-0.7Ω型板形电阻,R2为2W、40Ω,R3为2W、20Ω;R4为100W,开关为普通继电器开关,电机M为直流电机,调速装置选用单管可逆式晶体管脉宽调速装置JMT-DK型(湖北省襄樊机庆电气传动设备厂生产),按电路原理图连线方式连接,可控硅T的阳极接调速装置(JMT-DK型)的传感器的输出端即可。

工作原理:当开关K1接通时,可控硅T导通,短接电阻R1电机正常运转,每当电机的控制电路断电的瞬间,K1自动断开,可控硅T关断,大部分瞬时电流通过R1,使自感电压降低,从而保护了调速装置的晶体管。开关K2的作用在于可靠地关断可控硅T,K1导通可控硅。

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