[实用新型]小型计算机磁芯存储器代换卡无效

专利信息
申请号: 94241835.2 申请日: 1994-05-03
公开(公告)号: CN2208724Y 公开(公告)日: 1995-09-27
发明(设计)人: 曹云乾;韩志刚 申请(专利权)人: 中国矿业大学
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 中国矿业大学专利事务所 代理人: 仇润鹤
地址: 2210*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 小型 计算机 存储器 代换
【说明书】:

实用新型涉及小型计算机主机存储系统。

我国80年代初引进的300MW、600MW大型火力发电机组中,有几套其汽轮机控制系统DEH-Ⅱ或发电厂生产监视系统DAS的核心部分是美国西屋公司(WESTINGHOUSE)生产的W2500小型计算机,其内存采用磁芯存储器卡数块。由于运行多年,磁芯存储器相继损坏,对于其中磁芯存储体部分损坏故障无法修复。由于该机型早已停产,该卡很难再购买到且要价奇高。该机软、硬件技术成熟,运行稳定。仅因此更换全套价值昂贵的DEH系统或DAS系统是不可取的。采用半导体存储器进行代换乃是上策。而且在其他行业,其他地方,也还有不少W2500计算机仍在运行。这个代换工作意义是很大的。

本实用新型的目的就是提供一种小型计算机磁芯存储器代换卡,插入于原磁芯存储器卡所插的插槽中,使之基本功能完全相当于原磁芯存储器卡。不仅如此,本代换卡可将单卡容量加倍至64K字,使之一块顶原两块磁芯存储器卡,这就使主机用卡数减半;本代换卡具有的卡上程序自动装载功能,在重装程序时,只需拨动一个开关,1秒钟内即自动安装完毕,即可启动,简便快捷,不再需用光电纸带输入机或磁带机,省却了落后的外部输入设备,也大大提高了整机的可靠性,大大延长了该机使用寿命。

本实用新型是由SRAM和EPROM存储电路B2、地址通道B1、数据通道B3、读写控制电路B4、程序装载电路B5、电源监控电路B6等组成。插于原磁芯存储器的卡位上后,可进行:1.作为主机内存在线工作。2.掉电程序保持。3.离线程序装载。通过开关选择使本卡处于运行状态时,开机上电后,地址信号MA0~MA15通过总线驱动器送到SRAM存储电路的地址端A0~A15。控制信号、、A15、RSWT、WSWT、XDRIVE、INHGATE等加到读写控制电路上产生SRAM芯片的片选信号、读信号、写信号。读出阶段,在信号的作用下,SRAM中读出的数据从其D口送出,经反相器反相后送到底盘上成为~信号。写入阶段,要写入的数据信号DO0~DO16经数据锁存器送到SRAM的D口上,在WE信号的作用下,写入SRAM中。若因故停电关机,则卡上电池向SRAM芯片和控制其、、端的芯片74HC05及相关电阻供电,使SRAM处于休眠状态且不能读写。使其内程序不丢失,不被改写。再上电SRAM芯片退出休眠状态正常工作,即可启动主机,程序不用重装。若需要重装程序,则将开关打在装载这一边。则SRAM芯片各端状态不再与底盘上的信号有关。多谐振荡器起振,产生的方波信号送往计数器形成EPROM读出SRAM写入信号和16位地址信号,于是一个地址一个字的数据一一由EPROM中读出写入SRAM中,直至全部完成。

本实用新型的读写控制电路采用了二片可编程芯片,大大简化了电路接线,减少了使用芯片的数量。本实用新型设有电源监控电路,以保证SRAM芯片及相关芯片可靠正确地工作。本实用新型设置了二组跳线,一组跳线用以适应单卡容量的不同(64K卡或32K卡)和插入卡位的不同(低32K卡位,高32K卡位)。一组跳线用以与EPROM编程器的配合使用及沟通EPROM与SRAM在装载程序时一读一写的关系,本实用新型设置了状态控制开关,以便根据需要方便地改变卡的工作状态。设置的5个指示灯可以醒目地告知卡的工作状态。本实用新型的EPROM芯片选用CMOS的,SRAM芯片选用有低功耗保持功能的,单片容量视单卡容量需求可以选择。本实用新型结构制作成双板,不必改动主机底盘的接线,完全可以像使用原磁芯存储器卡那样使用,且可与磁芯存储器卡混用,现场代换易于进行,且由于插入插槽中的插头数由6个减少为4个,也使插拔阻力大为减少,便于操作。

本实用新型的实施例结合附图作详细说明。

附图1是本实用新型的电路原理框图。

附图2是本实用新型SRAM和EPROM存储电路图。

附图3是本实用新型数据通道和一部分地址通道电路图。

附图4是本实用新型读写控制电路图。

附图5是本实用新型程序装载电路和另一部分地址通道电路图。

附图6是本实用新型电源监控电路图。

需说明的是,对图中一些所标信号名称作了如下简化:

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