[发明专利]在陶瓷基材上涂覆铜膜的方法无效
申请号: | 95100364.X | 申请日: | 1995-01-29 |
公开(公告)号: | CN1072736C | 公开(公告)日: | 2001-10-10 |
发明(设计)人: | 吉泽出;高桥广明;川原智之 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | C23C18/38 | 分类号: | C23C18/38;B05D5/12;H05K3/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 吴惠中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 基材 上涂覆铜膜 方法 | ||
1.一种在陶瓷基材上涂覆铜膜的方法,所述方法包括以下步骤:
在所述陶瓷基材上形成含铜底涂层;
在氧化气氛中对覆有所述底涂层的所述陶瓷基材进行热处理,以在所述底涂层中得到氧化铜层;
还原所述氧化铜层,得到金属铜层;
在所述金属铜层上再形成一层铜,得到所述的铜膜;
其中所述氧化铜层是在一还原溶液池中还原成为所述金属铜层的。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于采用化学镀方法将铜涂覆在所述金属铜层上。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述氧化铜层是在20℃至100℃的温度被还原。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述底涂层主要含有铜。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于覆有所述底涂层的所述陶瓷基材是在850℃至1100℃的温度进行热处理。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述底涂层含有经1,2-乙二胺螯合剂处理的铜粉,该螯合剂的作用是在铜粉颗粒的表面形成铜的螯合物。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述还原溶液为二甲胺甲硼烷。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述还原溶液为氢硼化盐。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述底涂层含有一种从含1,2-乙二胺螯合剂的铜电镀液中沉积出来的铜粉。
10.一种在陶瓷基材上涂覆铜膜的方法,所述方法包括以下步骤:
在所述陶瓷基材上形成含铜和铋的底涂层;
在氧化气氛中对覆有所述底涂层的所述陶瓷基材进行热处理,以在所述底涂层中得到氧化铜层;
还原所述氧化铜层,得到金属铜层;
在所述金属铜层上涂覆铜,得到所述铜膜;
其中所述氧化铜层是在一还原溶液池中还原成为所述金属铜层的。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于覆有所述底涂层的陶瓷基材是在600℃至1100℃的温度进行热处理。
12.如权利要求10所述的方法,其特征在于所述底涂层的形成步骤为:
在所述陶瓷基材上形成铜和铋中的某一种的第一底涂层;
在所述第一底涂层上形成铜和铋中的另一种的第二底涂层。
13.如权利要求10所述的方法,其特征在于是采用化学镀方法形成所述第一底涂层。
14.一种在陶瓷基材上涂覆铜膜的方法,所述方法包括以下步骤:
在所述陶瓷基材上形成含铜和钒的底涂层;
在氧化气氛中对覆有所述底涂层的所述陶瓷基材进行热处理,以
在所述底涂层中得到氧化铜层;
还原所述氧化铜层,得到金属铜层;
在所述金属铜层上涂覆铜,得到所述铜膜;
其中所述氧化铜层是在一还原溶液池中还原成为所述金属铜层的。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于覆有所述底涂层的所述陶瓷基材是在450℃至620℃的温度进行热处理。
16.如权利要求14所述的方法,其特征在于,是通过下面的步骤形成所述底涂层:
在所述陶瓷基材上形成铜和钒中的一种的第一底涂层;
在所述第一底涂层上形成铜和钒中的另一种的第二底涂层。
17.如权利要求14所述的方法,其特征在于是采用化学镀方法形成所述铜的第一底涂层。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理