[发明专利]真空等离子处理装置无效
| 申请号： | 95100622.3 | 申请日： | 1995-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1110832A | 公开（公告）日： | 1995-10-25 |
| 发明（设计）人： | 渡边彰三;铃木正树;中山一郎;奥村智洋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/30;H05H1/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 等离子 处理 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种真空等离子处理装置，其特征在于该装置配备：收容被处理基板的真空处理容器；接至上述真空处理容器的反应气体供给手段；上述真空处理容器的真空排气手段；设置在该真空处理容器内安放上述被处理基板的基座；与上述被处理基板相对且在上述真空处理容器壁面上排列成三角形栅格状的分电极；将相位差约120°的三相高频电力分别加给上述分电极的电源装置。
2、如权利要求1所述的装置，其特征在于，对所述基座施加高频电力。
3、一种真空等离子处理装置，其特征在于该装置配备：收容被处理基板的真空处理容器;接至上述真空处理容器的反应气体供给手段;上述真空处理容器的真空排气手段;设置在该真空处理容器内安放上述被处理基板的基座;与上述被处理基板相对且在上述真空处理容器壁面上排列成正交栅格状的分电极;将相位差约180°的二相高频电力分别加给上述分电极的电源装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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