[发明专利]压电气体传感器无效
| 申请号： | 95100968.0 | 申请日： | 1995-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1120156A | 公开（公告）日： | 1996-04-10 |
| 发明（设计）人： | G·福伊希特;A·施雷彻尔;G·福兰克 | 申请（专利权）人： | 赫彻斯特股份公司 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 黄泽雄 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 气体 传感器 | ||
1.由压电晶体和含聚亚芳硫醚的涂层构成的传感器。
2.按照权利要求1的传感器，其特征在于，涂层包含至少一种具有式I重复单元的聚亚芳体系，
-[(Ar1)n-X]m-[(Ar2)i-Y]j-[(Ar3)k-Z]l-[(Ar4)o-W]p- (I)该体系包含至少一个硫醚基团，其中Ar1，Ar2，Ar3和Ar4是具有6至18个碳原子的相同或不同的芳基体系；W，X，Y和Z是相同或不同的连接基团，它选自-SO2-，-S-，-SO-，-O-，-CO-，-CO2-，具有1至6个C原子的亚烷基(Alkylen或Alkyliden)和-NR1-，其中R1是具有1至6个C原子的烷基或亚烷基，并且必须至少一个是连接基-S-；n，m，i，j，k，l，o，p是相同或不同的整数0，1，2，3或4，其总数至少为2。
3.按照权利要求1或2的传感器，其特征在于，涂层包含至少一种具有式II，III，IV，V，VI，VII或VIII重复单元的聚亚芳：
4.按照权利要求1、2或3一项或多项的传感器，其特征在于涂层包含具有式VIII重复单元的聚亚芳。
5.按照权利要求1至4一项或多项的传感器，其特征在于，压电晶体具有的基础振动频率范围为20KHz至100MHz，优选为0.1MHz至50MHz。
6.按照权利要求1至5一项或多项的传感器，其特征在于，压电晶体具有的谐振频率范围为1MHz至1000MHz，优选30MHz至500MHz。
7.按照权利要求1至6一项或多项的传感器，其特征在于，用碱土金属钛酸盐，钛酸铅锆或石英作为压电晶体。
8.按照权利要求1至7一项或多项的传感器，其特征在于用石英作为压电晶体。
9.按照权利要求1的传感器在检测卤素、过氧化合物或臭氧中的应用。
10.按照权利要求1的传感器在劳动保护领域、排放测量中以及作为过滤控制器的应用。
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