[发明专利]在高温金属层上形成介质层的方法

权利要求书

1.用于在高温金属层上形成介质层的方法，其特征在于包括步骤：

提供带有第一及第二表面的基片；

在基片的第一表面形成高温金属层，其中高温金属层具有利于氧化物形成的自由能；

在高温金属层上沉积光致抗蚀剂层；

有选择地将光致抗蚀剂层暴露于光；

使光致抗蚀剂层显影以便有选择地去除光致抗蚀剂来在光致抗蚀剂层形成图案；

与光致抗蚀剂层的图案相一致刻蚀高温金属层；

用非氧化光致抗蚀剂去除剂去除剩余的光致抗蚀剂；

在高温金属层上形成介质层。

2.如权利要求1所述的方法，其中在基片的第一表面上形成高温金属层的步骤包括，形成一金属层，金属层是从由钛、氮化钛、钒、氮化钒、铬、氮化铬、钽、及氮化钽组成的组中选择的；其中形成介质层的步骤包括，使用增强型等离子体化学气相沉积从TEOS中沉积出氧化硅层。

3.如权利要求1所述的方法，其中使光致抗蚀剂层显影的步骤包括，在刻蚀高温金属步骤之前且没有光致抗蚀剂硬化步骤，使光致抗蚀剂层显影。

4.如权利要求1所述的方法，其中沉积光致抗蚀剂层的步骤包括，沉积正性光致抗蚀剂，且用非氧化光致抗蚀剂去除剂去除光致抗蚀剂层的步骤包括，用包含pH值碱性的N—甲基吡咯烷酮构成的去除剂去除光致抗蚀剂层。

5.如权利要求4所述的方法，其中去除光致抗蚀剂的步骤包括有：在保持在约75到85℃温度的N—甲基吡咯烷酮第一槽中去除光致抗蚀剂层并在保持在约45到55℃温度的N—甲基吡咯烷酮第二槽中去除残留光致抗蚀剂。

6.如权利要求1所述的方法，进一步的特征在于包括在隋性气体中介质层退火的步骤。

7.如权利要求6所述的方法，其中退火步骤包括将介质层在氮气中加热到约1000℃。

8.在氮化钛层上形成介质层的方法，其中介质层在高温条件下粘附在氮化钛上，其特征在于包括步骤：

提供具有第一表面或第二表面的半导体基片；

在第一面上形成氮化钛层；

在氮化钛层上沉积光致抗蚀剂层；

将光致抗蚀剂层有选择地暴光；

将光致抗蚀剂层显影来有选择地去除光致抗蚀剂以便在光致抗蚀剂层内形成图案，其中光致抗蚀剂层被显影而没有接下来的光致抗蚀剂的硬化步骤；

刻蚀氮化钛，使氮化钛层与光致抗蚀剂层的图案相一致；

用非氧化光致抗蚀剂去除剂去除剩余光致抗蚀剂；

在氮化钛层上沉积介质层；且

在带有少于3000ppm氧气的惰性环境中使介质层退火。

9.如权利要求8所述的方法，其中沉积光致抗蚀剂层的步骤包括，沉积正性光致抗蚀剂，且用非氧化光致抗蚀剂去除剂去除光致抗蚀剂层的步骤包括有：用包含pH值碱性的N—甲基吡咯烷酮组成的去除剂去除光致抗蚀剂层，其中在温度保持在约75到85℃的N—甲基吡咯烷酮第一槽中去除光致抗蚀剂，并且在温度保持在45—55℃的N—甲基吡咯烷酮第二槽中去除残留光致抗蚀剂。

10.如权利要求8所述的方法，其中沉积介质层的步骤包括：

用包含TEOS的加增型等离子体源沉积氧化硅。