[发明专利]电解电容器用的铝箔腐蚀方法无效
申请号: | 95102458.2 | 申请日: | 1995-03-09 |
公开(公告)号: | CN1037043C | 公开(公告)日: | 1998-01-14 |
发明(设计)人: | 柿堺香 | 申请(专利权)人: | 日本蓄电器工业株式会社 |
主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04;C23F1/00;C23F3/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈季壮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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搜索关键词: | 电解电容 器用 铝箔 腐蚀 方法 | ||
1.一种电解电容器用的铝箔腐蚀方法,该方法包括以下步骤:
1)在含有氯离子的电解液中施加直流电压电解腐蚀电容器用的具有高立方晶系结构的铝箔以生成蚀坑,在此步骤中,铝箔未腐蚀的表面部分因表面形成的蚀坑的数目增大而逐渐变小,以及
2)通过腐蚀扩大以上步骤形成的蚀抗,其特征在于,在第一电解腐蚀步骤,电解液中的电流密度呈阶梯式连续地或逐渐地由最大值降低,以使铝箔未腐蚀的表面部分上的电流密度保持恒定,A/B比为0-0.4,其中A代表电流密度达到最大值所需的时间且B代表所述电流密度由最大值达到终值所需的时间。
2.根据权利要求1的电解电容器用的铝箔腐蚀方法,其特征在于所述扩大蚀坑的第二步骤采用化学腐蚀的方法进行。
3.根据权利要求1的电解电容器用的铝箔腐蚀方法,其特征在于所述扩大蚀坑的第二步骤采用电解腐蚀的方法进行。
4.根据权利要求1的电解电容器用的铝箔腐蚀方法,其特征在于在所述生成蚀坑的第一步骤中所施加的电流密度从零增加到最大值以使A/B比为0-0.4。
5.根据权利要求1的电解电容器用的铝箔腐蚀方法,其特征在于,在所述生成蚀坑的第一步骤中的最大电流密度为350-1,000mA/cm2,最终电流密度为>0-300mA/cm2。
6.根据权利要求1的电解电容器用的铝箔腐蚀方法,其特征在于,在所述生成蚀坑的第一步骤中所使用的电解液含有1.0-4.0%(以重量计)盐酸和15-30%(以重量计)能生成氧化膜的酸,且其温度为65-90℃。
7.根据权利要求6的电解电容器用的铝箔腐蚀方法,其特征在于,所述能生成氧化膜的酸是硫酸、磷酸、硝酸和草酸中的一种或其组合。
8.一种权利要求1所述的电解电容器用的铝箔腐蚀方法,其特征在于,电流密度呈阶梯式逐步降低,在步骤间从其最大值降低的电流密度变化为0-200mA/cm2,每一步骤中恒定电流密度下的停留时间为>20-15秒。
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