[发明专利]温度检测电路无效

专利信息
申请号: 95103837.0 申请日: 1995-03-31
公开(公告)号: CN1088187C 公开(公告)日: 2002-07-24
发明(设计)人: 栗原信二 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: G01K7/01 分类号: G01K7/01;G11B11/105
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 傅康,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 温度 检测 电路
【说明书】:

发明涉及根据温度产生输出信号的温度检测电路,尤其涉及在MD(小型盘)系统中根据环境温度控制写入激光强度的温度检测电路。

以往,MD系统中备有在MD上规定的部分产生磁场的磁头、以及在MD上的上述规定的部分产生激光的光发射器。录音时,激光照射在旋转的磁光盘上,于是只有被激光照射的部分温度上升,而且,上述温度达到居里温度后,磁光盘的上述部分便无剩磁。这时,利用磁头将与录音数据对应的磁场加到磁光盘上,于是只有上述部分按照上述磁场而被磁化。此后,由于上述部分离开激光,所以该部分的温度下降,磁化便照原样保留下来。通过反复进行这一动作,录音数据便被记录在光磁盘上。

为了针对环境温度的变化产生强度稳定的激光,图2示出在上述那样的系统中检测环境温度的电路。在图2中,假设在二极管1中流动的电流相对于温度大致一定,二极管1正向电压的温度特性式为: dV D dT = 1 T { - V Eg + V D - ( 4 - a ) kT q } ]]>式中,VD是二极管两端之间的电压,T是绝对温度[K],VEg是半导体的能隙电压,a是与迁移率的温度特性有关的常数,q是电子电荷量,K是波尔赫兹曼常数。由上式得: V D = V Eg + dV D dT · T - - - - ( 1 ) ]]>

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