[发明专利]带有多层连接的电子封装件

权利要求书

1.一种制造电子封装件的方法，其中的电路化衬底适合于电连接到电子器件上，所述方法包括：

提供一个具有一第一表面的衬底；

在上述衬底的上述第一表面上提供一个第一电路图形，上述图形至少包括一个接触位置；

用一层介电材料把包括上述接触位置的第一电路图形基本覆盖起来；

在上述介电材料层上提供一个第二电路图形，上述第二电路图形至少包括一个接触位置；

清除至少一部分上述介电材料层以暴露出上述第一电路图形的所述接触位置，上述第一和第二电路图形的所述接触位置被暴露出来且位于相对于上述衬底的第一表面的不同高度处；以及

用焊料将所述电子器件电连接到所述第一和第二电路图形的暴露出来的接触位置，其特征是：

上述各接触位置适合于分别与上述电子器件直接电连接；

所述清除至少一部分上述介电材料层的步骤发生在上述介电材料层上提供第二电路图形之后，以及

在所述焊接操作中，多个大小基本相同的焊料元件被加到所述电子器件上，然后将它们连接到相应的暴露出的多个接触位置上。

2.如权利要求1的方法，其特征是：上述第一电路图形采用在上述衬底的上述第一表面上沉积至少一个金属层的方法制成。

3.如权利要求2的方法，其特征是：上述第一电路图形采用光刻工艺形成，上述工艺包括在上述金属层上沉积一层光致抗蚀剂，然后使上述光致抗蚀剂的一些区域曝光和显影以确定上述电路图形。

4.如权利要求1的方法，其特征是：把上述介电材料地毯式涂覆在上述第一电路图形上。

5.如权利要求4的方法，其特征是：上述介电材料是一种聚合物，且在把上述聚合物沉积于上述第一电路图形上之后将其固化。

6.如权利要求1的方法，其特征是：上述第二电路图形用在上述介电材料层上沉积至少一个金属层的方法来形成。

7.如权利要求6的方法，其特征是：用溅射方法来实现在上述介电材料层上沉积至少一个金属层的步骤。

8.如权利要求6的方法，其特征是：上述第二电路图形用光刻工艺形成，且上述工艺包括在上述金属层上沉积一层光致抗蚀剂材料，然后使上述光致抗蚀剂的选定区域曝光和显影以确定上述第二电路图形。

9.如权利要求1的方法，其特征是：用激光剥离来清除上述介电材料层的上述部分。

10.如权利要求1的方法，其特征是：所述衬底的第一表面上的所述第一电路图形上包括一保护层，用于在清除所述至少一部分介电材料层时保护所述第一电路图形。

11.如权利要求10的方法，其特征是：所述介电材料层上的所述第二电路图形上包括一保护层，用于在清除所述至少一部分介电材料层时保护所述第二电路图形。

12.如权利要求1的方法，其特征是：在所述介电材料层上制备所述第二电路图形而不使所述介电材料层经受湿法化学工序。

13.如权利要求12的方法，其特征是：所述第二电路图形是用溅射方法制备的。

14.如权利要求13的方法，其特征是：所述介电材料层为聚酰亚胺。

15.如权利要求1的方法，其特征是：所述第一和第二电路图形以两图形之间没有金属-金属界面层的方式形成在所述衬底上。

16.一种电子封装件，包括：

一电子器件，

一个包括一个上表面的介电衬底；

一个在上述上表面上、并在离上述上表面为第一距离处至少有一个暴露的接触位置的第一电路图形；

一层位于上述第一电路图形上的介电材料，其中至少包括一个位于上述暴露的接触位置附近的窗口，用来暴露上述接触位置；以及

一个位于上述介电材料层上的第二电路图形，其中在离上述介电衬底的上表面为第二距离处至少有一个暴露的接触位置，此接触位置与上述第一电路图形的上述暴露的接触位置分隔开一个预定距离，上述第二距离大于上述第一距离，

其特征是：

所述电子器件具有一基本平坦表面，所述表面上具有第一和第二等量焊料元件；以及

上述第一和第二电路图形的暴露的接触位置分别直接与所述电子器件的所述第一和第二等量的焊料元件电连接。