[发明专利]移相掩模的制作方法

权利要求书

1.一种制作移相掩模的方法，包括以下步骤：

在石英基片上形成第一光致抗蚀胶图形，以分割成透光部分和遮光部分；

刻蚀被所述第一光致抗蚀胶图形所暴露的所述的石英基片，由此蚀刻凹槽；

去除所述第一光致抗蚀胶图形并在所述蚀刻凹槽的侧壁形成隔离体；

在包括所述石英基片和所述蚀刻凹槽底部的所得结构上沉积铬；

去除所述隔离体并涂覆光致抗蚀胶于包括有所述石英基片表面和所述蚀刻凹槽的所得结构上；

进行深蚀刻工艺以在所述蚀刻凹槽上形成第二光致抗蚀胶图形；

刻蚀被所述的深腐蚀工艺所暴露的所述石英基片上的铬；

去除所述第二光致抗蚀胶图形以留下所述蚀刻凹槽底部上的所述的铬。

2.如权利要求1的方法，其中所述蚀刻凹槽是由各向异性刻蚀工艺形成的。

3.如权利要求1的方法，其中所述隔离体由不同于所述石英基片的蚀刻选择材料构成。

4.如权利要求1的方法，其中所述隔离体由氮化物构成。

5.如权利要求1的方法，其中所述隔离体由多晶硅构成。