[发明专利]天线,薄膜天线使用的磁芯元件和装备有薄膜天线的卡

权利要求书

1、一种磁芯元件，它由厚度为25μm或更少的并具有式(1)的化学成分的非晶质合金带组成：

(Co_1-aFe_a)_100-b-c-d-eT_bSi_cB_dY_e    (1)

其中T是选自Mn、Ni、Ti、Zr、Hf、Cr、.Mo、Nb、W、Ta、Cu、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Re和Sn中的至少一个元素；Y是选自C、Ge、Ga、P和Al中的至少一个元素；a是满足0≤a≤0.1的数字值；而b、c、d和e是分别满足0≤b≤15,0≤c≤20,5≤d≤25,0≤e≤20和15≤c+d≤30的原子百分数。

2、一种磁芯元件，它由厚度为25μm或更少的并具有式(2)化学成分的毫微-结晶合金组成，

(Fe_1-vM_v)_100-x-y-z-wA_xM’_yM”_zX_w    (2)

其中M是Co、Ni、或它们的组合；A是Cu、Au或它们的组合；M’是选自Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W中的至少一个元素；M”是选自Cr、Mn、Al、Sn、Zn、Ag、In、铂族元素、Mg、Ca、Sr、Y、稀土元素、N、O、S中的至少一个元素；X是选自B、Si、C、Ge、Ga和P中的至少一个元素；V是满足0≤v≤0.5的数值；x、y、z和w是原子百分比，各分别满足0≤x≤10,0.1≤y≤20,0≤z≤20和2≤w≤30，至少50％的合金结构具有平均晶粒粒径为100nm或更小的晶粒。

3、权利要求1或2的磁芯元件，其中，所述磁芯元件在所述磁芯元件的宽度方向上或厚度方向具有诱导的磁各向异性。

4、权利要求1或2的磁芯元件，其中，所述磁芯元件的厚度是15μm或更小。

5、权利要求3的磁芯元件，其中，所述磁芯元件的厚度是15μm或更小。

6、一种薄型天线，包括层压磁芯和至少一个在所述层压磁芯上所绕的线圈，所述层压磁芯的厚度为1mm或更薄，所述薄型天线在134kHz下的Q值是25或更大；所述的层压磁芯由多个磁芯元件组成，磁芯元件由厚度为25μm或更少的并具有式(1)的化学成分的非晶质合金带组成：

(Co_1-aFe_a)_100-b-c-d-eT_bSi_cB_dY_e    (1)

其中T是选自Mn、Ni、Ti、Zr、Hf、Cr、Mo、Nb、W、Ta、Cu、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Re和Sn中的至少一个元素；Y是选自C、Ge、Ga、P和Al中的至少一个元素；a是满足0≤a≤0.1的数字值；而b、c、d和e是分别满足0≤b≤15,0≤c≤20,5≤d≤25,0≤e≤20和15≤c+d≤30的原子百分数。

7、一种薄型天线，包括层压磁芯和至少一个在所述层压磁芯上所绕的线圈，所述层压磁芯的厚度为1mm或更薄，所述薄型天线在134kHz下的Q值是25或更大；所述的层压磁芯由多个磁芯元件组成，磁芯元件由厚度为25μm或更少的并具有式(2)化学成分的毫微-结晶合金组成，

(Fe_1-vM_v)_100-x-y-z-wA_xM’_yM”_zX_w    (2)

其中M是Co、Ni、或它们的组合；A是Cu、Au或它们的组合；M’是选自Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W中的至少一个元素；M”是选自Cr、Mn、Al、Sn、Zn、Ag、In、铂族元素、Mg、Ca、Sr、Y、稀土元素、N、O、S中的至少一个元素；X是选自B、Si、C、Ge、Ga和P中的至少一个元素；V是满足0≤v≤0.5的数值；x、y、z和w是原子百分比，各分别满足0≤x≤10,0.1≤y≤20,0≤z≤20和2≤w≤30，至少50％的合金结构具有平均晶粒粒径为100nm或更小的晶粒。