[发明专利]内联式非晶硅太阳能电池及制造方法无效
申请号: | 95104992.5 | 申请日: | 1995-05-19 |
公开(公告)号: | CN1034617C | 公开(公告)日: | 1997-04-16 |
发明(设计)人: | 李毅;周起才;丁孔贤;郑泽文;周帅先;陈刚;何承义 | 申请(专利权)人: | 李毅 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 深圳市专利服务中心 | 代理人: | 张艺影 |
地址: | 518133 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内联 式非晶硅 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法,在透明衬底上形成透明导电膜,由印刷形成透明电极;由辉光放电沉积非晶膜,由激光刻划形成非晶硅图形;由电子束蒸发或溅射法形成背电极,其特征在于由印刷形成透明电极,是在透明导电膜上用耐酸浆料丝印正电极图形,用240至300目的丝网版和耐酸浆料印制导电膜保护层,在温度60℃条件下,干燥一小时后,放入温度为70℃的酸溶液中,再用1%~3%的氢氧化钠水溶液除去导电膜表面的保护层,用防腐铜浆印制可焊电极。
2.根据权利要求1所述的一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法,其特征是:所述透明导电膜腐蚀所用的酸溶液,由盐酸、水、硝酸按体积比:1~3∶10∶0.1~0.5配制而成。
3.根据权利要求1所述的一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法,其特征在于所述辉光放电沉积非晶膜,是在非晶硅沉积室,采用13.56MHz辉光放电装置沉积P层100埃,I层4000埃,N层200埃,在每层沉积后,用氮气清洗。
4.根据权利要求1或2所述的一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法,其特征在于所述的激光刻划形成非晶硅图形,是采用功率为0.1W~0.7W激光,刻划线宽度小于0.3毫米。
5.根据权利要求1所述的一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法,其特征在于所述的电子束蒸发或溅射法形成背电极后,再用195~240目丝网版,将可焊料解冻加入1%~4%的防腐助焊剂印制成可焊电极。
6.根据权利要求5所述的一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法,其特征在于所述的防腐助焊剂是由10~40克的松香溶于100毫升乙醇所组成。
7.一种内联式非晶硅太阳能电池,包括在玻璃基板上透明导电膜和非晶硅层及金属背电极构成的集成型平板式光电组件,其特征是:所述的集成型平板式光电组件的薄膜图形均是矩形,透明导电模图形四周与玻璃基板边缘有一定距离,非晶硅薄膜层的刻划线与对应的透明导电膜刻划线平行相距0.1~0.4毫米。
8.根据权利要求7所述的一种内联式非晶硅太阳能电池,其特征在于所述的玻璃基板上的透明导电膜是复合TCO膜。
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