[发明专利]半导体封装及制造方法

权利要求书

1.一种安装有半导体器件的半导体封装的制造方法，它包含下列步骤：

使用来耗散半导体器件产生的热的金属热沉的表面羟基化，然后在上述热沉的表面上沉积一层硅烷连接剂，以及

采用在上述热沉周围注入一树脂材料的方法把上述热沉埋置于注模树脂中。

2.权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于：在上述热沉表面上沉积一层硅烷连接剂的步骤所沉积的硅烷连接剂层包含由下列一组中选择的一种：γ—氨丙基—三乙氧基甲硅烷、N—β—(氨乙基)—γ氨丙基—三甲氧基甲硅烷、β—(3，4—环氧—环己基)—乙基三甲氧基甲硅烷、以及γ—缩水甘油氧—丙基三甲氧基甲硅烷。

3.权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于：使上述热沉的表面羟基化的步骤是借助于将上述热沉浸入碱溶液然而用水清洗并干燥的方法来执行的。

4.一种半导体封装，带有内置半导体器件和一个用来耗散注模树脂中的上述半导体器件所产生的热的埋置金属热沉，上述热沉的表面带有一层硅烷连接剂。

5.一种半导体封装，带有内置半导体器件和一个用来耗散注模树脂中的上述半导体器件所产生的热的埋置金属热沉，上述热沉的表面带有一层含有选自下列一组材料之一的硅烷连接剂：γ—氨丙基—三乙氧基甲硅烷、N—β—(氨乙基)—γ—氨丙基—三甲氧基甲硅烷、β—(3，4—环氧—环己基)—乙基三甲氧基甲硅烷、以及γ—缩水甘油氧—丙基三甲氧基甲硅烷。

6.一种半导体封装，带有内置半导体器件和一个用来耗散注模树脂中的上述半导体器件所产生的热的埋置金属热沉，上述热沉用碱溶液羟基化，且上述热沉的表面带有一层硅烷连接剂。

7.一种半导体封装，带有内置半导体器件和一个用来耗散注模树脂中的上述半导体器件所产生的热的埋置金属热沉，上述热沉制作成简单形状，且上述热沉的表面带有一层硅烷连接剂。