[发明专利]改进的制造薄膜可致动反射镜阵列的方法无效
申请号: | 95105544.5 | 申请日: | 1995-06-05 |
公开(公告)号: | CN1062664C | 公开(公告)日: | 2001-02-28 |
发明(设计)人: | 池政范;崔泳畯 | 申请(专利权)人: | 大宇电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蹇炜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 制造 薄膜 可致动 反射 阵列 方法 | ||
1、一种制造用于光学投影系统的M×N薄膜可致动反射镜阵列的方法,该方法包括如下步骤:
(a)提供一个具有一顶面的基底;
(b)在基底顶面上形成一个分离层;
(c)在分离层的顶上镀覆第一薄膜层,该第一薄膜层由导电和反光材料制成,能够在薄膜可致动反射镜中起到反射镜和偏压电极的作用;
(d)在第一薄膜层顶上形成一个薄膜电致移位层;
(e)对薄膜电致移位层进行热处理,使之发生相变;
(f)在薄膜电致移位层顶上镀覆由导电材料制成的第二薄膜层,它能够在薄膜可致动反射镜中起信号电极的作用;
(g)在第二薄膜层顶上形成一个由绝缘材料制成的弹性层;
(h)在弹性层的顶上形成一个薄膜待除层;
(i)通过去除待除层的一些部分,形成一个M×N空槽阵列,各空槽从待除层的顶部延伸到弹性层的顶部;
(j)在待除层的顶上,形成一个由多晶硅制成的支承层,其中,各空槽也填充有该多晶硅;
(k)形成一个M×N个导管的阵列,各导管从支承层的顶部延伸到第二薄膜层的顶部,各导管穿过各空槽,从而形成一多层结构;
(l)在多层结构的顶上形成一个M×N晶体管阵列,各晶体管通过一个导线图案与各导管电连接,从而形成一半成品的可致动反射镜结构;
(m)将一个有源矩阵与半成品的可致动反射镜结构连接;
(n)通过去除分离层将基底从半成品的可致动反射镜结构上分离,从而形成一可致动反射镜结构;
(o)将该可致动反射镜结构形成出一个M×N半成品可致动反射镜阵列的图案。
(p)在各半成品的可致动反射镜中去除薄膜待除层,从而形成M×N薄膜可致动反射镜阵列。
2、如权利要求1所述的方法,其中分离层由水溶性材料制成。
3、如权利要求1所述的方法,其中分离层通过采用溅射法或真空蒸镀法形成。
4、如权利要求1所述的方法,其中分离层通过采用湿蚀刻法去除。
5、如权利要求1所述的方法,其中薄膜电致移位层由压电或电致伸缩材料制成。
6、如权利要求5所述的方法,其中薄膜电致移位层通过采用溶胶一凝胶法或溅射法形成。
7、如权利要求1所述的方法,其中第一和第二薄膜层通过采用溅射法或真空蒸镀法形成。
8、如权利要求1所述的方法,其中弹性层通过采用溶胶一凝胶法、溅射法或CVD法形成。
9、如权利要求1所述的方法,其中如果薄膜待除层由金属制成,则采用溅射法形成;如果薄膜待除层由硅酸磷玻璃制成,则采用化学蒸镀法形成;如果薄膜待除层由多晶硅制成,则采用旋转涂覆法形成。
10、如权利要求1所述的方法,其中导管通过采用蚀刻法,继之以溅射法形成。
11、如权利要求1所述的方法,其中可致动反射镜结构通过采用光刻法或激光修剪法形成图案。
12、如权利要求1所述的方法,其中薄膜待除层通过采用蚀刻法去除。
13、如权利要求1所述的方法,其中各晶体管直接与各导管电连接。
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