[发明专利]半导体芯片封装件及其制造方法无效
申请号: | 95105704.9 | 申请日: | 1995-05-10 |
公开(公告)号: | CN1093689C | 公开(公告)日: | 2002-10-30 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·沃伦·威尔逊 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L21/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体芯片封装件,它包含:
一个包括相反的第一和第二表面的衬底,其上至少有一个穿过所述衬底以将所述相反的第一和第二表面互连的孔;
一个位于所述衬底所述第一表面上的第一导热层;
一个位于所述衬底所述第二表面上的第二导热层;
一个用导热材料安置在所述第一导热层上的半导体芯片;
一个位于所述衬底的所述第一表面上离所述第一导热层为一个预定距离处并与该第一导热层绝缘的电路层,所述半导体芯片与所述位于第一表面上的电路层电连接;
至少一个位于所述衬底的所述孔中的导热元件,用来使所述第一和第二导热层热耦合以使所述半导体芯片产生的热可以通过所述第一导热层传到所述第二导热层。
2.如权利要求1的封装件,其特征在于:所述第一和第二导热层由金属组成。
3.如权利要求2的封装件,其特征在于:所述金属包含铜。
4.如权利要求1的封装件,其特征在于:所述第一导热层与所述第二导热层的厚度比率在约1∶1到约1∶10的范围之内。
5.如权利要求1的封装件,其特征在于:所述导热材料为把所述半导体芯片固定到所述第一导热层上的粘合剂。
6.如权利要求5的封装件,其特征在于:所述粘合剂是导电的。
7.如权利要求1的封装件,其特征在于:所述第二导热层与位于所述衬底所述第一表面上的所述电路层电连接。
8.如权利要求1的封装件,其特征在于:包括一个电连接夹元件,用于把所述衬底第一表面上的所述电路层与一外部电路化衬底电连接起来。
9.如权利要求8的封装件,其特征在于:所述电连接夹装置将所述第二导热层电连接到所述电路层。
10.如权利要求1的封装件,其特征在于:还包括至少一个导电引线,所述引线使所述芯片与所述衬底第一表面上的所述电路层电连接。
11.如权利要求1的封装件,其特征在于:所述外部电路化衬底包含一种印刷电路板。
12.如权利要求1的封装件,其特征在于:所述导热元件选自焊料和铜。
13.如权利要求1的封装件,其特征在于:所述导热元件包括销子状元件。
14.一种制造半导体芯片封装件的方法,它包含下列步骤:
提供一个带有相反的第一和第二表面的衬底;
在所述衬底中至少提供一个孔以使所述相反的第一和第二表面互连接;
在所述相反的第一和第二表面上分别提供第一和第二导热层,所述孔中的所述导热元件把所述第一和第二导热层热连接起来;
在所述衬底的第一表面上与所述第一导热层隔开并电绝缘的位置处提供一电路层;
在所述孔中提供一个导热元件;
把一个具有其上有多个接触点的第一表面的半导体芯片置于所述第一导热层上,以使所述其上有多个接触点的第一表面背对着所述第一导热层,且使由所述芯片在封装期间产生的热从所述第一导热层经所述导热元件到达所述第二导热层;以及
把所述半导体芯片的接触点电连接到所述电路层。
15.如权利要求14的方法,其特征在于:所述孔是用钻孔的方法在所述衬底上提供的。
16.如权利要求14的方法,其特征在于:用溅射方法来提供所述第一和第二导热层。
17.如权利要求16的方法,其特征在于:同时提供所述第一和第二导热层。
18.如权利要求14的方法,其特征在于:所述电路层用光刻方法来制作。
19.如权利要求18的方法,其特征在于:所述光刻方法包含下列步骤:在所述第一表面上制作一个导电层,在所述导电层上制作一个光致抗蚀剂并使其曝光和显影,以及对所述导电层在对所述光致抗蚀剂显影后露出的选定部位进行腐蚀。
20.如权利要求14的方法,其特征在于:采用引线连接的方法把所述芯片电连接到所述电路层。
21.如权利要求14的方法,其特征在于:采用焊接方法在所述衬底的所述孔中提供所述导热元件。
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