[发明专利]制造半导体集成电路器件的方法无效

专利信息
申请号: 95106069.4 申请日: 1995-05-12
公开(公告)号: CN1123956A 公开(公告)日: 1996-06-05
发明(设计)人: 铃木尔;奥山幸祐;竹田敏文;久保田胜彦 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 冯庚宣
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 半导体 集成电路 器件 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制造半导体集成电路器件的方法,包含的步骤是:

准备一具有主表面的半导体基片,所述半导体基片具有:由金属构成的,形成在所述主表面上的下电极、由金属构成的,形成在所述下电极上的上电极以及在所述下电极和所述上电极之间形成的绝缘薄膜,

所述下电极、所述上电极、所述绝缘薄膜构成一耐熔元件;以及

通过在所述下电极和所述上电极之间施加AC电压对所述耐熔元件进行编程,

在对所述耐熔元件进行编程的步骤中,在所述绝缘薄膜中形成一导通部分,这是由于使AC电流通过所述导通部分形成的,使得所述导通部分的机械强度增强。

2.一种用于对半导体集成电路器件的耐熔元件进行编程的方法,包含的步骤是:

准备一具有主表面的半导体基片,所述半导体基片具有:由金属构成的,形成在所述主表面上的下电极、由金属构成的,在所述下电极上形成的上电极、以及在所述下电极和所述上电极之间形成的绝缘薄膜,

所述下电极、所述上电极和所述绝缘薄膜构成一个耐熔元件;

通过在所述上电极和所述下电极之间施加DC电压,在所述绝缘薄膜中形成一导通部分;以及

在所述上电极和所述下电极之间施加AC电压,使一AC电流通过所述耐熔元件,以便提高所述导通部分的机械强度。

3.一种用于制造半导体集成电路器件的方法,包含的步骤是:

准备一具有主表面的半导体基片,所述半导体基片具有:由金属构成的,形成在所述主表面上的下电极、由金属构成的,形成在所述下电极上的上电极,以及形成在所述下电极和所述上电极之间的绝缘薄膜,

所述下电极、所述上电极、所述绝缘薄膜构成一耐熔元件;以及

通过在所述下电极和所述上电极之间施加AC电压对所述耐熔元件进行编程,

在对所述耐熔元件编程的所述步骤中,在所述绝缘薄膜中形成一个导通部分,

在对所述耐熔元件进行编程的所述步骤中,使AC电流通过该导通部分,以便相对于导通部分的中间部分的直径,增加接近下电极和上电极的导通部分的对端的各个直径。

4.一种用于制造半导体集成电路器件的方法,包含的步骤是:

准备一具有主表面的半导体基片,所述半导体基片具有:(1)形成在所述主表面上的MISFET,(2)形成在所述MISFET和主表面上的第一绝缘薄膜,(3)形成在所述第一绝缘薄膜上的第一金属连线层,(4)第二绝缘薄膜,其形成在所述第一绝缘薄膜和所述第一金属连线层上并具有第一开孔,以及(5)形成在所述第二绝缘薄膜上的第二金属连线层,

所述第一金属连线层包括下电极和第一连线,该第一连线电连接到所述MISFET的栅极和源极/漏极区域,

所述第二金属连线层包括上电极和第二连线,各第二连线电连接到所述第一连线,

所述半导体基片还具有绝缘薄膜,其形成在所述下电极和所述上电极之间,在所述第一开孔中,

所述上电极、所述绝缘薄膜、所述下电极构成一耐熔元件;以及

通过在所述下电极和所述上电极之间施加AC电压对所述耐熔元件进行编程,

在对所述耐熔元件编程的步骤中,使AC电流通过在所述绝缘薄膜中形成的所述导通部分,以便提高所述导通部分的机械强度。

5.根据权利要求1所述的制造半导体集成电路器件的方法,其中所述下电极和所述上电极中的每一个分别包含Ti、W、Mo、Ta以及能与硅化合构成硅化物的金属中的一种金属,

其中所述的绝缘薄膜是由非晶硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅以及含硅的化合物中的一种构成的,

其中所述导通部分含有这些金属之一和硅构成的硅化物。

6.根据权利要求2所述的对半导体集成电路器件的耐熔元件进行编程的方法,其中所述下电极和所述上电极中的每一个电极分别含有Ti、W、Mo、Ta以及能与硅化合形成硅化物的金属中的一种金属。

其中所述绝缘薄膜由非晶硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅以及含硅的化合物中的一种构成,

其中的所述导通部分含有这些金属其中之一和硅所构成的硅化物。

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