[发明专利]减小表面粗糙度的半导体晶片的粗抛方法

权利要求书

1.一种在细抛半导体晶片之前粗抛晶片以降低晶片表面粗糙度的方法，该方法包括下列各步骤：

a)向抛光材料上加含有钠稳定胶态石英浆料的第一抛光溶液；

b)随着晶片相对于抛光材料运动，使抛光材料和第一抛光溶液与晶片表面接触，以降低晶片的低频表面粗糙度；

c)向抛光材料上加含有氨稳定胶态石英浆料的第二抛光溶液；

d)随着晶片相对于抛光材料运动，使抛光材料和第二抛光溶液与晶片表面接触，以进一步降低晶片的低频表面粗糙度，在粗抛之后，用光学干涉仪按1mm×1mm作扫描测量，其中晶片的表面粗糙度Ra不大于1.0nm。

2.如权利要求1的方法，其中的低频表面粗糙度Ra，在(b)步骤中被降至不大于2.0nm，在(d)步骤进一步被降至不大于1.0nm。

3.如权利要求1的方法，其中至少一种抛光溶液含有碱性腐蚀剂。

4.如权利要求2的方法，其中至少一种抛光溶液含有碱性腐蚀剂。

5.如权利要求1-4中任一项的方法，进一步包括用光学干涉仪按1mm×1mm作扫描测量时，在将晶片抛光成足以使其表面粗糙度Ra不大于1.0nm之后，对晶片加酸性溶液和用水冲洗晶片的步骤，以便抑制第二抛光溶液。

6.如权利要求1-4中任一项的方法，其中的晶片在向抛光材料上加第二溶液之前，不用酸性溶液处理。

7.如权利要求3或4中任一项的方法，其中的碱性腐蚀剂是一种胺加强的苛性碱溶液，其pH值为11-14。

8.如权利要求5的方法，其中的酸性溶液包括一种有机酸或无机酸和一种聚醚多羟基化合物。

9.如权利要求1、2、3、4或8中任一项的方法，其中的半导体晶片是硅片，在步骤(b)过程中去掉16μm-18μm的硅，在步骤(d)中，去掉2μm-4μm的硅。

10.如权利要求1、2、3、4或8中任一项的方法，其中的低频表面粗糙度Ra在步骤(b)被降至1.2nm-2.0nm，在步骤(d)被进一步降至0.5nm-0.8nm。

11.如权利要求5的方法，其中的半导体晶片是硅片，在步骤(b)过程中去掉16μm-18μm的硅，在步骤(d)中，去掉2μm-4μm的硅。

12.如权利要求6的方法，其中的半导体晶片是硅片，在步骤(b)过程中去掉16μm-18μm的硅，在步骤(d)中，去掉2μm-4μm的硅。

13.如权利要求7的方法，其中的半导体晶片是硅片，在步骤(b)过程中去掉16μm-18μm的硅，在步骤(d)中，去掉2μm-4μm的硅。

14.如权利要求5的方法，其中的低频表面粗糙度Ra.，在(b)步骤中被降至1.2nm-2.0nm，在(d)步骤中进一步被降至0.5nm-0.8nm。

15.如权利要求6的方法，其中的低频表面粗糙度Ra，在(b)步骤中被降至1.2nm-2.0nm，在(d)步骤中进一步被降至0.5nm-0.8nm。

16.如权利要求7的方法，其中的低频表面粗糙度Ra，在(b)步骤中被降至1.2nm-2.0nm，在(d)步骤中进一步被降至0.5nm-0.8nm。

17.如权利要求9的方法，其中的低频表面粗糙度Ra，在(b)步骤中被降至1.2nm-2.0nm，在(d)步骤中进一步被降至0.5nm-0.8nm。