[发明专利]二氧化硅的甲硅烷基化方法以及由此制得的产品及其应用

权利要求书

1、非常微细的二氧化硅的甲硅烷基化方法，其特征在于用至少一种在整个方法的温度范围内为相对不挥发性的甲硅烷基化试剂处理非常微细的二氧化硅，条件是相对不挥发性的甲硅烷基化试剂作为液体、以非常微细的气溶胶的形式与非常微细的二氧化硅混合。

2、根据权利要求1的非常微细的二氧化硅的甲硅烷基化方法，其特征在于另外用至少一种在方法温度下为挥发性的甲硅烷基化试剂处理非常微细的二氧化硅，条件是挥发性的甲硅烷基化试剂是以气体形式混入非常微细的二氧化硅中的。

3、根据权利要求1或2的非常微细的二氧化硅的甲硅烷基化方法，其特征在于该方法包括非常微细的二氧化硅与甲硅烷基化试剂混合的第一步骤、作为后处理的热处理的第二步骤和在气流中净化的第三步骤。

4、根据权利要求1或2的非常微细的二氧化硅的甲硅烷基化方法，其特征在于方法温度为低于400℃。

5、根据权利要求1或2的非常微细的二氧化硅的甲硅烷基化方法，其特征在于所用的甲硅烷基化试剂包括一种或多种、相同或不同的有机硅化合物。

6、根据权利要求1或2的非常微细的二氧化硅的甲硅烷基化方法，其特征在于用质子试剂对非常微细的二氧化硅进行附加的处理，所述质子试剂为水、低级醇或者它门的混合物。

7、根据权利要求1或2的非常微细的二氧化硅的甲硅烷基化方法，其特征在于该非常微细的二氧化硅每100m²/g的比表面积(根据DIN66131和66132的BET法测定)的碳含量低于1％(重量)。

8、根据权利要求1或2的非常微细的二氧化硅的甲硅烷基化方法，其特征在于所用的甲硅烷基化试剂包括有机硅烷，其通式为

     R¹_nSiX_4-n                      (I)式中R¹在每一情况下可以是相同或不相同的并且是单价的、囟代或未囟代的、具有1至18个碳原子的烃基，X在每一情况下可以是相同或不相同的并且是囟素，或是OH、OR²、OCOR²、O(CH₂)_xOR²，R²在每一情况下可以是相同或不相同的并且是单价的具有1至8个碳原子的烃基，n为1或2，和x为1、2、3，和/或有机硅氧烷，其通式为(R¹_aX_bSiO_1/2)_z(R¹₂SiO_2/2)_x(R³R¹SiO_2/2)_y(SiX_bR¹_a)_z  (II)式中，R¹如以上所定义，并且在每一情况下可以是相同或不相同的，R²如以上所定义，R³在每一情况下可以是相同或不相同的，并且是氢或单价的、囟代或未囟代的、具有1至18个碳原子的不同于R¹的烃基x如以上所定义，a为0、1、2或3，b为0、1、2或3，a+b等于3，x为0或选自1-200的整数，y为0或选自1-200的整数，而x+y等0或为一个处于1与200之间的整数，z为0或1，条件是如果x+y等于0的话，z大于0。

9、根据权利要求1-8的一项或多项权利要求所制备的高非极性的热解二氧化硅，其特征在于它具有平均初级粒子粒径小于100nm，尤其是具有比表面积为大于25m²/g(根据DIN66131和66132的BET法测定)，每100m²/g(根据DIN66131和66132的BET法测定)的碳含量低于1％(重量)，甲醇值为大于或等于50，对羟离子的相对吸附容量小于25％。

10、根据权利要求9的高非极性的热解二氧化硅，其特征在于至少为80％(摩尔)的结合的甲硅烷基化试剂包括被二个烃基取代的甲硅烷氧基。

11、根据权利要求9或10的或根据权利要求1-8的一项或多项权利要求制备的高非极性的热解二氧化硅作为在极性体系中的增稠剂、油吸收剂，改进有机调色剂的流动性和在消泡组合物中的应用。