[发明专利]半导体集成电路的电源电压变换电路无效

专利信息
申请号: 95106891.1 申请日: 1995-06-23
公开(公告)号: CN1117662A 公开(公告)日: 1996-02-28
发明(设计)人: 柳济焕;李彰浩 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H02M5/00 分类号: H02M5/00;H02M5/257
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 马铁良,张志醒
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 集成电路 电源 电压 变换 电路
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路式的电源电压变换电路,能将外部电源电压,从而产生最佳化的内部电源电压,其特征在于,它包括:

差分放大装置,其第一输入节点上和第二输入节点上分别加有基准电压和所述内部电源电压,该装置放大的是所述基准电压与所述内部电源电压之间的差值电压,所述差分放大装置在预充电工作期间不起作用,在活动工作期间起作用;

激励装置,用以根据所述差分放大装置的输出从所述外部电源电压给所述内部电源电压提供电流;和

控制装置,用以在所述激励装置的激励信号在预充电工作期间预充电到预定电平之后,在所述差分放大装置往前进入活动工作时同时控制所述激励装置。

2.如权利要求1所述的电源电压变换电路,其特征在于,所述控制装置包括:

第一晶体管,用所述外部电源电压作为电源电压;和

第二晶体管,连接在所述第一晶体管与所述激励装置之间,所述第二晶体管在预充电工作期间导通,在活动工作期间截止。

3.如权利要求2的所述的电源电压变换电路,其特征在于,所述第一晶体管为二极管连接的p沟MOS晶体管,所述第二晶体管和所述激励装置分别为p沟MOS晶体管。

4.如权利要求3所述的电源电压变换电路,其特征在于,所述第一晶体管的阈电压低于所述激励装置的阈电压。

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