[发明专利]电调制热辐射源装置

权利要求书

1．一个电调制热辐射源装置，包含

-一个基本上呈平面的基片(1)，

-基片(1)上开有开口或孔(2)，

-至少有一根白炽丝(3)，该白炽丝排列在该开口或孔(2)处，

在基片(1)上形成的接触基座(5)，用以在该白炽丝(3)的两头输入电流，

其特征在于：

-该白炽丝(3)是金属的，至少在悬浮在基片(1)上的部分，完全敷有抗氧化材料的薄膜(32，36)。

2．根据权利要求1中所述的热辐射源装置，其特征在于该薄膜(32，36)由氮化硅制成。

3．根据权利要求1中所述的热辐射源装置，其特征在于至少有两根白炽丝(3)电串联接。

4．根据权利要求1中所述的热辐射源装置，其特征在于至少有两根白炽丝(3)电并联连接。

5．根据权利要求1中所述的热辐射源装置，其特征在于至少有一部分白炽丝(3)既是电串联又是电并联。

6．根据权利要求1所述的热辐射源装置，其特征在于每根白炽丝(3)均由钨制成。

7．根据权利要求1所述的热辐射源装置，其特征在于每根白炽丝(3)由钛钨合金制成。

8．根据权利要求1所述的热辐射源装置，其特征在于每根白炽丝(3)由钼制成。

9．根据以上任一权利要求所述的热辐射源装置，其特征在于各白炽丝(3)互相机械地联接。

10．根据权利要求9所述的热辐射源装置，其特征在于各白炽丝通过连续的氮化硅桥(6)机械性地互相联接。

11．根据权利要求9所述的热辐射源装置，其特征在于各白炽丝(3)通过带缝隙的连续氮化硅桥(6)机械性地互相联接。

12．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于在白炽丝(3)下在所述基片的下表面上淀积一个镜面结构(43)。

13．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于在白炽丝(3)下在所述基片的下表面有一层抗反射层。

14．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于辐射源装置包括了一个在所述基片的下表面上的Falry-Perot干涉计。

15．根据权利要求14所述的热辐射源装置，其特征在于辐射源装置在其下表面包含了一带有中央孔(45)的不透明层(44)。

16．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于在该层白炽丝(3)上形成有一多晶硅层(39)。

17．根据权利要求16所述的热辐射源装置，其特征在于所述多晶硅层(39)及淀积在该多晶硅层(39)上的层(32)总厚度等于该辐射源装置的测量波长的1/4。

18．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于白炽丝(3)两端(7)的形状加工成比其中部(8)细。

19．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于白炽丝(33)的发射率大于0.4。

20．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于白炽丝(33)的发射率大于0.5。

21．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于白炽丝(33)的发射率大于0.7。

22．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于白炽丝工作温度在400℃以上。

23．根据权利要求1-8任一项所述的热辐射源装置，其特征在于白炽丝工作温度在500℃之上。