[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有位于第一导电类型半导体基片上的绝缘层和位于该绝缘层上的栅电极，第一导电类型半导体基片的表面位于MIS型元件的栅电极之下，其特征是，第一导电类型半导体基片表面包括第一反向电压区，它由于第一栅电压反型成为第二导电类型，和第二反向电压区，它由第二栅电压反型成为第二导电类型。

2.按权利要求1的半导体器件，其特征是，半导体器件包括多个MIS型元件，MIS型元件具有第一反向电压区的平面区域与第二反向电压区的平面区域之间相互不同的面积比。

3.按权利要求1的半导体器件，其特征是，第一反向电压区的平面区域与第二反向电压区的平面区域之间的面积比有预定值，并且，第一反向压区的平面形状与第二反向电压区的平面形状不同。

4.按权利要求1的半导体器件，其特征是，第二反向电压区分成多个平面形状。

5.按权利要求4的半导体器件，其特征是，第二反向电压区分成5个以上的平面形状。

6.按权利要求1的半导体器件，其特征是，MIS型元件构成绝缘栅场效应晶体管(MISFET)，它包括在第一导电类型半导体基片上相互分开设置的第二导电类型源和漏区，在半导体基片上处于源区与漏区之间的沟道区，通过将第一反向电压区和第二反向电压区分割成平面而在沟道区上设置的多个表面反向电压区，和通过栅绝缘膜在沟道区上设置的栅电极。

7.按照权利要求6的半导体器件，其特征是，绝缘栅场效应晶体管的饱和电流和阈值电压随第一反向电压区和第二反向电压区的形状而变化。

8.按权利要求6的半导体器件，其特征是，第二反向电压区是按平行于沟道区的长度方向的条形构成的。

9.按照权利要求6的半导体器件，其特征是，第二反向电压区是按平行于沟道区的宽度方向的条形构成的。

10.按权利要求6的半导体器件、其特征是，第二反向电压是按沟道区中的点构成的。

11.按权利要求6的半导体器件，其特征是，第二反向电压区是按沟道区中的方格图形构成的。

12.按权利要求1的半导体器件，其特征是，在位于栅电极下的、与栅绝缘膜接触的半导体基片的表面上，分别形成具有第一杂质浓度的第一沟道杂质浓度区，和具有第二杂质浓度的第二沟道杂质浓度区，作为沟道杂质区，以构成第一反向电压区和第二反向电压区。

13.按权利要求12的半导体器件，还包括在沟道杂质区之间形成的源区和漏区，其中具有第一杂质浓度的区域和具有第二杂质浓度的区域中的至少一个设置成比源和漏区的结的深度要浅。

14.按权利要求6的半导体器件，还包括具有厚度与栅绝缘膜不同的，设置在半导体基片上的第二栅绝缘膜的第二MISFET。

15.按权利要求6的半导体器件，其特征是，第二MISFET设置在阱区上，该阱区设置在第一导电类型的半导体基片的表面上、它是具有与半导体基片导电类型相同但有不同杂质浓度的第二半导体区。

16.按权利要求6的半导体器件，其特征是，第二MISFET设置在阱区上，该阱区设置在第一导电类型的半导体基片表面上，并且，它是具有与半导体基片的导电类型不同的导电类型的第二半导体区。

17.按权利要求6的半导体器件，其特征是，基片中的半导体元件包括绝缘层和设置在绝缘层上的半导体区，并且，形成的半导体区薄于10μm。

18.按权利要求17的半导体器件，其特征是，半导体区的厚度等于沟道的厚度。

19.按权利要求17的半导体器件，其特征是，半导体区的厚度等于沟道杂质区的厚度。