[发明专利]半导体元件的制造设备及制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造设备，其特征在于该设备具有：

在减压气氛中对半导体薄膜或基片使质量不致分离地同时照射氢离子及含有成为前述半导体的掺杂剂的元素的离子的离子照射装置，及

从在前述半导体薄膜或基片上，连续进行离子照射，不暴露于大气地形成薄膜的薄膜形成装置及进行加热处理的加热处理装置中选出的至少一种装置。

2.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，在互相连接的室内顺次进行以下工艺步骤：

(1)在减压气氛中对半导体薄膜或基片同时进行照射氢离子及含有成为前述半导体的掺杂剂元素的离子的工艺步骤，及

(2)从连续进行前述离子照射工艺，不开放大气地在前述半导体薄膜或基片上形成薄膜的工艺步骤，或进行加热处理的工艺步骤中选出的至少一种工艺步骤。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造设备，其特征在于，所述离子照射装置、薄膜形成装置或加热处理装置是通过阀门相连的。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制造设备，其特征在于，在半导体薄膜或基片上形成的薄膜是金属。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制造设备，其特征在于，加热处理是借助于灯进行的。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制造设备，其特征在于，离子照射装置的减压气氛的压力在1-10^-3Pa的范围。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制造设备，其特征在于，掺杂剂元素是从磷、硼、砷、硅、氮中选出的至少一种元素。

8.如权利要求1所述的半导体元件的制造设备，其特征在于，所述半导体薄膜是掺氢的非晶硅。

9.如权利要求1所述的半导体元件的制造设备，其特征在于，所述半导体薄膜为多晶硅。

10.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述同时照射氢离子及含有成为半导体的掺杂剂元素的离子的工艺步骤是在离子照射装置中进行的。

11.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，在半导体薄膜或基片上形成的薄膜是金属。

12.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，加热处理是借助于灯进行的。

13.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，离子照射装置的减压气氛的压力在1-10^-3Pa的范围。

14.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，掺杂剂元素是从磷、硼、砷、硅、氮中选出的至少一种元素。

15.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述半导体薄膜是掺氢的非晶硅。

16.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述半导体薄膜为多晶硅。

17.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述加热处理是在含氢的气氛中进行的。

18.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述加热处理是在100-1000℃的范围进行的。