[发明专利]半导体存储器装置的晶片老化检测电路

权利要求书

1.用于检查半导体存储器装置缺陷单元的老化检测电路，所述半导体存储器装置具有多个连接到一字线上的存储单元和选择字线的行译码器，所述老化检测电路包括：

字线驱动器电路，其输入端用于接收由行译码器产生的行译码信号，其输出节点与所述字线连接，所述行译码信号在正常操作模式期间具有第一状态，而在老化检测操作模式期间具有不同于所述第一状态的第二状态，所述字线驱动器电路包含：

字线提升电压传送电路，用于接收一启动电压，并传送

到所述输出节点上，且受所述行译码信号控制，该字线提升

电压传送电路在所述正常操作模式时响应所述行译码信号提

升所述字线的电压至所述启动电压的电平，和

电流通路，连接在所述输出节点与一放电节点之间，且

受所述行译码信号控制，该电流通路在所述老化检测操作模

式时响应所述行译码信号而将所述字线连接到所述放电节点

上；

控制电路，其第一输入端用于接收一老化电压，其第二输入端用于接收一控制信号；以及

电气线路，连接在所述字线驱动电路的所述放电节点与所述控制电路之间，所述控制电路在所述老化检测操作模式时响应所述控制信号通过所述电气线路和所述字线驱动器电路的电流通路为字线提供所述老化电压。

2.根据权利要求1所述的老化检测电路，其特征在于：

所述字线提升电压传送电路包括一个输入晶体管，其第一电极用于接收所述启动电压，其栅极用于接收所述行译码信号，还具有一个第二电极；

所述电流通路包括一个电流通路晶体管，其第一电极与上述输入晶体管的第二电极连接，其栅极用于接收所述行译码信号，其第二电极与所述电气线路连接；以及

所述字线驱动器电路的所述输出节点位于所述输入晶体管与所述电流通路晶体管的中间。

3.根据权利要求1所述的老化检测电路，其特征在于：

所述字线提升电压传送电路包括一个输入晶体管，其第一电极用于接收所述启动电压，其栅极用于接收所述行译码信号，还具有一个第二电极；

所述电流通路包括一对电流通路晶体管，每个晶体管的第一电极都共同与所述输入晶体管的第二电极连接，每个晶体管的第二电极都共同与所述电气线路连接；

所述电流通路晶体管中的第一个的栅极用于接收所述行译码信号，其第二个的栅极用于接收与所述启动电压逻辑反相的一个互补启动信号；以及

所述字线驱动器电路的所述输出节点位于所述输入晶体管与所述电流通路晶体管的中间。

4.根据权利要求3所述的老化检测电路，其特征在于，所述控制电路包括：

老化控制晶体管，其第一电极与所述控制电路的第一输入端连接，其栅极与所述控制电路的第二输入端连接，其第二电极与所述电气线路连接；和

放电晶体管，其第一电极与所述电气线路连接，其栅极用于接收与所述控制信号逻辑反相的一个互补控制信号，其第二电极与一基准电位连接。

5.根据权利要求4所述的老化检测电路，其特征在于：

在所述正常操作模式时，所述输入晶体管导通、所述放电晶体管导通、所述电流通路晶体管截止、所述老化控制晶体管截止；而

在所述老化检测模式时，所述输入晶体管截止、所述放电晶体管截止、所述电流通路晶体管导通、所述老化控制晶体管导通。

6.根据权利要求5所述的老化检测电路，其特征在于，所述启动电压包含字线提升电压。

7.根据权利要求6所述的老化检测电路，其特征在于，所述老化电压≥所述字线提升电压。

8.根据权利要求6所述的老化检测电路，其特征在于，所述老化电压大于所述字线提升电压。

9.根据权利要求1所述的老化检测电路，其特征在于：

所述启动电压包含一字线提升电压；和

所述老化电压大于所述字线提升电压。

10.根据权利要求1所述的老化检测电路，其特征在于：

所述启动电压包含一字线提升电压；和

所述老化电压≥所述字线提升电压。

11.根据权利要求5所述的老化检测电路，其特征在于，所述电流通路晶体管、所述老化控制晶体管和所述放电晶体管各包括一个NMOS晶体管，而所述输入晶体管包括一个PMOS晶体管。