[发明专利]形成半导体器件金属互连的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件金属互连的方法，其中形成第一金属层(40)和第一绝缘层(50)，并在第一绝缘层中形成通孔，通过该通孔连接第一金属层和第二金属层，第二金属层位于与第一金属层不同的层上，包括：

第一步，形成大小与第一金属层上的第一绝缘层的通孔尺寸相同的第二绝缘层(60′)；

第二步，形成腐蚀阻挡层(90)，以便覆盖第二绝缘层用于形成第一金属层的图形；

第三步，使用腐蚀阻挡层做腐蚀掩膜来腐蚀第一绝缘层(50)和第一金属层，然后去除腐蚀阻挡层；

第四步，在第一步到第三步所得结构上形成第三绝缘层，平面化所得结构，以腐蚀所说第三绝缘层，使露出第二绝缘层；

第五步，去除露出的第二绝缘层，和通过去除第二绝缘层后露出的第一绝缘层的部分；

第六步，在得到的结构上形成第二金属层。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述第一步包括：

在第一绝缘层上淀积第二绝缘层的工艺；

形成与第一金属层上的第二绝缘层的通孔尺寸相同的光刻胶膜的工艺；以及

使用光刻胶膜作腐蚀阻挡层腐蚀第二绝缘层的工艺。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，所述腐蚀阻挡层包括光刻胶膜。

4.根据权利要求3的方法，其中，所述第二绝缘层和第一绝缘层包括具有湿法腐蚀选择性的绝缘膜。

5.根据权利要求4的方法，其中，在去除所述第二绝缘层的第五步中，利用第二绝缘层和第一绝缘层的腐蚀选择性通过湿法腐蚀去除所述第二绝缘层。