[发明专利]矮形薄膜写头无效

专利信息
申请号: 95109641.9 申请日: 1995-07-27
公开(公告)号: CN1063562C 公开(公告)日: 2001-03-21
发明(设计)人: 雨果·艾博托·埃米里奥·桑提尼 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 酆迅
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜
【说明书】:

发明涉及薄膜写头,并更具体地涉及一种薄膜写头,这种薄膜写头上的窄道宽第二极尖可以和第二极靴同时成形和电镀。

一个薄膜写头具有在极尖区和在后隙区上磁性相连的第一极靴和第二极靴。在极尖区上第一极靴和第二极靴备有由薄绝缘间隔层隔离的第一极尖和第二极尖。极尖区由磁头表面以及磁头表面和后隙区之间的零喉度高度所定义。磁头的本体部位于零喉度高度和后隙区之间。磁头的本体部上设有一层或多层扁平线圈和多个绝缘层。扁平线圈把磁通耦合到磁靴上和/或接收磁通。

每层绝缘层在极尖区附近具有一个顶点,从这个顶点起始该绝缘层。各顶点位于零喉部高度或者在零喉部高度和后隙区之间。在现有技术中第一极靴上的第一绝缘层的顶点位于零喉部高度并定义零喉部高度。在其顶点至其在第一极靴之上的最高处之间各绝缘层具有陡坡度的表面。该斜面是由加热绝缘层的工艺工序所造成的。该加热工艺逐出溶剂,使绝缘层收缩并造成从顶点到最高处的斜面。

第二极靴具有一个扩张点,在扩张点上第二极靴加宽超过第二极尖的宽度以形成一个大的主体部。该扩张点位于零喉部高度和后隙区之间。如果扩张点太靠向后隙区,由于必须经其传送磁通的窄性材料的长度额外增加,磁通会从极靴上漏泄。但是,把扩张点太靠向零喉部高度,如后面更详细说明那样的,会妨碍同时制造第二极靴和高分辨率窄道宽第二极尖。

第二极尖和第一极尖之间的间隔层的长度和第二极尖的形状是薄膜写头中的最关键要素。磁头表面上间隔层的长度决定磁头的线密度,即磁头在每直线英寸磁性介质上能写的多少个位数。第二极尖的宽度决定磁头道宽,其确定磁性介质每英寸宽度上可由磁头写上多少条磁道。这两个因素的乘积为面密度。当今日需存储和处理大量的数据,诸如在高清晰度电视(HDTV)中,从而深深认识到需要一种通过高分辨率、窄道宽的第二极尖而具备高面密度的薄膜写头。

通过镜象转换工艺后再通过活性离子蚀刻法可以得到高分辨率第二极尖。通常镜象转换工艺用不受活性离子蚀刻的金属模式掩蔽保护层的上表面。未被掩模覆盖的地区为电镀极尖的区域,该区域通过活性离子蚀刻法成形。金属模式沉积工序和蚀刻工序成本极高。第二极尖也可以通过离子束蚀刻法获得,在这种方法里用离子轰击第二极尖以形成具有所需道宽的第二极尖。该工艺的成本也极高。在这两种方法里,第二极尖都是单独构造的,然后通过普通的光刻法把第二极靴的剩余部分接合到第二极上。

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