[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在1000℃以下的温度用包含蒸汽和氧的混合气体来氧化衬底上所形成的绝缘氧化膜；

除去残留在绝缘氧化膜上的离子，以获得高绝缘的介质膜。

2.一种制造半导体器件的方法，包括下列工艺步骤：

形成绝缘氧化膜；

在含蒸汽和氧的混合气体中对绝缘氧化膜退火的湿退火步骤；和

退火步骤后减少绝缘氧化膜上残留离子数量的除去离子的步骤。

3.按权利要求2的方法，其特征是，进行湿退火步骤中绝缘氧化膜在1000℃以下退火。

4.按权利要求3的方法，其特征是，进行湿退火而同时升高退火温度。

5.按权利要求2的方法，其特征是，离子除去步骤包括在含氧但基本不包蒸汽的气体中对绝缘氧化膜退火的干退火步骤。

6.按权利要求5的方法，其特征是，用湿退火步骤的同一退火室进行干退火步骤，并在湿退火步骤之后立即进行。

7.按权利要求2的方法，其特征是，离子除去包括用臭氧对绝缘氧化膜表面处理的步骤。

8.按权利要求2的方法，其特征是，离子除去步骤包括用氧等离子体处理绝缘氧化膜表面的步骤。

9.按权利要求2的方法，其特征是，用溅射法在衬底上淀积绝缘氧化膜。