[发明专利]一种低温镀复金刚石薄膜的方法及设备无效
申请号: | 95111077.2 | 申请日: | 1995-06-16 |
公开(公告)号: | CN1138635A | 公开(公告)日: | 1996-12-25 |
发明(设计)人: | 王志超 | 申请(专利权)人: | 南京大学;南京大学天地金钢石镀膜技术开发中心 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26 |
代理公司: | 南京大学专利事务所 | 代理人: | 黄嘉栋 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低温 金刚石 薄膜 方法 设备 | ||
1.一种镀复金刚石薄膜的方法,其特征是以一氧化碳和氮混合气体为气源,应用高频等离子体化学汽相沉积法在衬底表面镀复金刚石薄膜。
2.根据权利要求1所述的镀膜方法,其特征是在低真空下,在两电极之间,一氧化碳和氮混合气体经高频放电作用而分解,使碳原子在衬底表面沉积,形成金刚石薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的镀膜方法,其特征是在低于1000Pa的一氧化碳和氮混合气体的气压下,在1MHz-50MHz的高频放电作用下,在衬底表面镀复金钢石薄膜。
4.根据权利要求1或2所述的镀膜方法,其特征是一氧化碳和氮混合气体中,一氧化碳与氮气的体积比是1比2至1比10。
5.根据权利要求4所述的镀膜方法,其特征是在混合气体中可以加入氩气,以降低反应气体的击穿电压。
6.根据权利要求1或2所述的镀膜方法,其特征是镀膜可以在室温至500℃下进行。
7.一种镀复金刚石薄膜的设备,其特征是主要有一个反应室,反应室为金属腔体结构,其中有两个电极,有进气管道,通过进气管道,混合气体可以进入反应室中,有一抽气管,通过抽气管,可以将反应室抽成真空。
8.根据权利要求7所述的镀膜设备,其特征是两电极之间的距离可以调节。
9.根据权利要求7和8所述的镀膜设备,其特征是在进气管的出口处可以加置一个气体分配装置。
10.根据权利要求7和8所述的镀膜设备,其特征是在反应室外,可以有加热衬底的加热器。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的