[发明专利]苯基及取代苯基酰亚胺系有机电子晶体及其制备方法无效
申请号: | 95111238.4 | 申请日: | 1995-02-07 |
公开(公告)号: | CN1128808A | 公开(公告)日: | 1996-08-14 |
发明(设计)人: | 杨大本;邓文礼 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C30B29/54 | 分类号: | C30B29/54;C30B7/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利事务所 | 代理人: | 严礼华 |
地址: | 610054 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 苯基 取代 亚胺 有机 电子 晶体 及其 制备 方法 | ||
1、苯基及取代苯基酰亚胺系有机电子晶体其特征是采用邻苯二甲酸酐与苯胺或取代苯胺合成苯基或取代苯基邻苯二甲酰亚胺化合物,将化合物经晶体生长和极化处理就可制成高度有序、定向、纯净的无色的相对应的酰亚胺系有机电子晶体;该系列电子晶体具有优良的介电、压电、铁电、驻极体、敏感和换能等电子学与光学性能。
2、如权利要求1的苯基及取代苯基酰亚胺系有机电子晶体其特征是所述的取代苯胺是用烃基、卤族元素来取代苯胺中苯环里的一个或几个氢(H)元素后生成的。
3、苯基及取代苯基酰亚胺系有机电子晶体的制造方法其特征是由苯基与取代苯基邻苯二甲酰亚胺类化合物经合成、晶体生长和极化处理制成,其具体方法为:
(1)苯基与取代苯基邻苯二甲酰亚胺类化合物的合成:在反应瓶中加入邻苯二甲酸酐,再加入适量的丙酸呈稀释状态,加热并搅拌,待酸酐溶解后加入等摩尔量的苯胺或取代苯胺,继续加热,维持反应瓶内温度在120~200℃,反应5~20小时后停止,冷至室温,再将反应产物转入冷水中,此时有大量结晶析出,并对结晶物进行纯化处理,再用丙酮进行重结晶,制得邻苯二甲酰亚胺类化合物;
(2)晶体生长:采用双浴法,利用双层浴缸,双层浴液均采用蒸馏水,在内缸里放置有晶体生长杯,将已制得的化合物用挥发性溶剂配制成的溶液倒入晶体生长杯中,控制浴液温度在10~30℃生长4~48小时,生长出无色单晶体;
(3)晶体的极化处理:采用高温热极化或高电场电晕极化方法,进行高温热极化时采用单面或双面蒸镀金属或贴箔电极,放入恒定介质中,从10℃~200℃逐渐升温至恒温,从10~600KV/cm逐渐加压至恒压,然后再逐渐降温、减压,总时间为0.5~10小时;进行高场电晕极化时采用针与平板电极并置于空气中,从10~200℃逐渐升温至恒温,从0.5~10KV逐渐加电晕电场至恒定,然后再逐渐降温、减压,总时间为0.5~10小时,取出晶体后进行清洁处理。
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