[发明专利]一种制备α-Si3N4晶须的方法无效
| 申请号： | 95111332.1 | 申请日： | 1995-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1134404A | 公开（公告）日： | 1996-10-30 |
| 发明（设计）人： | 朱德贵;杨柳;张发建 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C04B14/38 | 分类号： | C04B14/38;C04B35/584;C01B21/068 |
| 代理公司： | 西南交通大学专利事务所 | 代理人： | 陈刚 |
| 地址： | 61003*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 si3n4 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备阿耳法-氮化硅晶须的方法，其特征是以单一的氧化硅粉末为原料，在石墨容器内通以一定压力的氮气，在一定温度下反应一定时间。
2.按照权利要求1所述的制备阿耳法-氮化硅晶须的方法，氧化硅粉末的粒度为小于0.5mm。
3.按照权利要求1所述的制备阿耳法-氮化硅晶须的方法，氮气的压力范围为0.1MPa～200MPa。
4.按照权利要求1所述的制备阿耳法-氮化硅晶须的方法，反应温度为1200℃～1600℃。
5.按照权利要求1所述的制备阿耳法-氮化硅晶须的方法，反应时间为0.5小时～5.0小时。
6.按照权利要求1～5所述的制备阿耳法-氮化硅晶须的方法，所得制品为长度10μm～1000μm，直径0.5μm～5.0μm的阿耳法晶型单晶氮化硅晶须。
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