[发明专利]亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法

权利要求书

1、一种亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法，本发明的特征在于所述的这种方法是流变混溶处理工艺和分阶段变质处理工艺综合起来的方法，流变混熔处理工艺主要包括：

(1)将两种原料(原料甲为过共晶铝硅合金，原料乙为纯铝或亚共晶铝硅合金)分别置于两炉同时加热，

(2)对原料甲温度控制在液固相区域，适当保温，对原料乙则加热到熔化并适当保温，

(3)将原料甲(过共晶铝硅合金)半固态熔体中的初生硅相进行破碎细化，如用机械搅拌法，搅拌速度在300-800rpm搅拌30-60秒后，将原料乙的熔体(处于熔化态)倾入经过上述搅拌处理后的原料甲中，并快速地对混合后的体系进行搅拌，

分阶段变质处理工艺可以与流变混熔处理工艺一并结合进行，把原料甲(过共晶铝硅合金)加热至完全熔化并过热50-80℃，加入原料甲类变质剂，变质剂的加入量随变质剂的种类而定(如磷盐变质剂为0．1-0．2％)，然后，停止加热，降温至620℃(相当于流变混熔处理工艺的第二步的状态)，即原料甲处于半固态状态，而原料乙熔体同步进行(如第二步加热到熔化状态)，然后再按流变混熔第三步的要求，搅拌-倾入-混和再搅拌，再搅拌时可加入原料乙类变质剂，变质剂的加入量随变质剂的种类而定(如钠盐变质剂0．5-0．6％)，而后形成。

2、按照权利要求1所述的亚共晶铝硅合金初生硅相形成的方法，其特征在于初生硅相的大小、数量可能通过过共晶合金在液固相区的温度区域内的温度来调整。

3、按照权利要求1所述的亚共晶铝硅合金初生硅相形成的方法，其特征还在于初生硅相的数量还可以通过原材料过共晶铝硅合金中的硅含量来调整。