[发明专利]从高纯氧化钆中除去氧化铕的方法无效

专利信息
申请号: 95111863.3 申请日: 1995-07-12
公开(公告)号: CN1041115C 公开(公告)日: 1998-12-09
发明(设计)人: 张静筠;高桂芬;王淑彬 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: C22B3/24 分类号: C22B3/24;//C22B59∶00
代理公司: 中国科学院长春专利事务所 代理人: 宋天平
地址: 130022 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 高纯 氧化 除去 方法
【说明书】:

发明属于物质的分离和纯制技术,具体的讲是从氧化钆中彻底除去氧化铕,得到几乎不含氧化铕的氧化钆的方法。

在稀土元素的排列顺序中,铕、钆和铽是相邻元素,在分离该三种元素的淋洗曲线上,明显可见铕和钆的曲线交叉,而铽与钆之间不存在上述的交叉。因此在制备高纯氧化钆时,很难将铕彻底除去,因而也就影响了对氧化钆的深入的光谱研究和应用,同时,对于诸如轧镓石榴石晶体,以钆为基质的Dy的兰、黄光荧光物质的效率等的改进都造成了障碍。迄今未见文献报道有彻底除去Eu的氧化钆问世。长春应化所不久前报告了还原和淋洗相结合的Gd中Eu的除去方法,得到了6个9纯度的Gd2O3,但精密的荧光光谱曲线表明,其中的Eu含量仍然没有低到不产生红光发射的水平,因为Gd3+对Eu3+具有明显的能量传递。

本发明的目的是在2-乙基己基膦酸单2-乙基己基酯(P507)萃淋树脂硅球做吸附床淋洗除Eu工作的基础上,进一步改进Zn还原的强度,并以二次淋洗操作彻底除去Eu。

本发明的主要内容是采用上下串联的还原柱和淋洗柱来进行Gd2O3的纯制,还原柱的径高长比为1∶6.5∶6,柱内装以高纯Zn粒,径长比为1∶20的吸附淋洗柱中装有P507萃淋树脂硅球,并按树脂负载量为1%计算投料量。纯度大于99.9%的Gd2O3配制成20mg/ml浓度的GdCl3溶液为原料液,调整其pH值为≤1.5。

本发明纯制方法的操作步骤如下述:

1.将还原柱中的Zn粒,以4摩尔浓度的HCl溶液处理30秒左右,然后水洗至中性;

2.将用纯度大于99.9%的Gd2O3配制的20mg/ml浓度的GdCl3溶液,调节pH≤1.5通过还原柱,以将料液中的Eu3+还原为Eu2+,还原后流入树脂柱;

3.将树脂柱恒温50℃,用0.25摩尔浓度的HCl淋洗除去Eu至一定的收集量;

4.采用0.5摩尔浓度的HCl淋洗,根据洗出液中稀土的浓度,收集纯GdCl3,以上淋洗流速均为17ml/min;

5.将收集的GdCl3溶液草酸盐沉淀烧成Gd2O3再重复上述1、2、3、4步骤进行第二次淋洗;

6.将收集到纯的GdCl3用NH4OH调pH=1-2草酸盐沉淀,再灼烧得到成品Gd2O3

本发明的方法得到的Gd2O3,用美国SPEX公司的FL2T2型双光栅荧光光谱仪进行发射光谱测定,在276nm激发下,光谱图未出现612nm处Eu3+的荧光光谱线。测得料液pH为2.5的产品,原料Gd2O3和本发明的产品的光谱图示出在图1、2、3中。

图1是料液pH为2.5的产品Gd2O3的光谱图。

图2是99.9%纯度的原料Gd2O3光谱图。

图3是本发明方法得到的Gd2O3产品的光谱图。

图中276nm激发在612nm处的发射峰为Eu3+5D0-7F2的特征发射峰,从三张图对比可见,本发明的方法得到的产品,该峰的相对强度几乎为可忽略,而图1中该峰相对强度为图3的7000倍,说明采用本方法使原料Gd2O3中的Eu几乎全部除尽。

采用本发明的方法,操作量可随意控制,扩大生产不存在障碍、简便、方便,然而得到的几乎不含Eu的Gd2O3却是迄今没有见到过的产品,其对研究Gd2O3的光谱性能,及实际应用意义是非常巨大的。

本发明的实施例如下:

实施例1:

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