[发明专利]锑化铟霍尔元件的电极及其制造方法无效
| 申请号： | 95111868.4 | 申请日： | 1995-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1129360A | 公开（公告）日： | 1996-08-21 |
| 发明（设计）人： | 于成民;孙仁涛;冯桂华;刘佩瑶;王晓雯;关杰;孔海霞 | 申请（专利权）人： | 机械工业部沈阳仪器仪表工艺研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 沈阳杰克专利事务所 | 代理人： | 杨光 |
| 地址： | 110043 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锑化铟 霍尔 元件 电极 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种锑化铟霍尔元件电极包括有“十”字形敏感膜和电极，其特征在于电极(1)一端与“十”字形敏感膜(2)呈欧姆接触，另一端附着在基底上。
2、一种制造权利要求1所述电极的制造方法，其特征在于依次经过下述工艺：
首先通过选择性刻蚀的方法将元件敏感膜及敏感膜与蒸镀金属形成欧姆接触区以外部分的锑化铟膜层用腐蚀液去掉，腐蚀液为盐酸HCl、硝酸HNO3和水H2O，三者的比例1∶1∶2，腐蚀温度为25-35℃，时间为5-10秒，然后用分极控制法在元件上依次蒸镀一层(0.1-0.2)μm铬Cr和一层铝Al(1-2)μm，经过二次刻蚀将电极(1)以外的部分用碱性铁氰化钾腐蚀液去掉铬Cr、铝Al，使焊点直接落到元件基底上，将经上述工艺处理的电极进行合金化处理，合金工艺时间为15-20分钟，温度为185-200℃，使蒸镀的金属与锑化铟膜形成良好的欧姆接触。
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