[发明专利]电可擦可编程序只读存储器及其制造方法

权利要求书

1．一种制造EEPROM的方法，包括下列步骤：

在半导体衬底上形成栅氧化膜；

在栅氧化膜上面形成浮栅；

在浮栅的整个表面和露出的半导体衬底上面形成第1层间绝缘膜；

在第1层间绝缘膜的区域，从半导体衬底的一部分到浮栅上表面的一部分形成选择栅；

利用浮栅和选择栅作为掩模，把杂质注入到半导体衬底，形成源极和漏极，所述的杂质与半导体衬底中杂质类型不同；

在最终获得结构的整个表面形成第2层间绝缘膜；

腐蚀位于选择栅上面的部分第2层间绝缘膜，以便露出接触孔，通过该接触孔使选择栅露出；

形成控制栅，它通过接触孔和选择栅相互接触，并且保护浮栅的未覆盖的上表面。

2．按照权利要求1的一种方法，其特征是栅氧化膜的厚度是100A或更薄，以便作为隧道氧化膜。

3．按照权利要求1的一种方法，其特征是所述选择栅和控制栅沿着半导体衬底的区域纵向延伸，其中，所述选择栅设置成覆盖所述浮栅的左部，所述控制栅设置成覆盖所述选择栅的一部分。

4．一种EEPROM，包括：

一个栅氧化膜和一个浮栅，它们叠置在半导体衬底上面；

第一层间绝缘膜，它形成在浮栅的整个表面上和半导体衬底上面，其特征在于进一步包括：

一选择栅，它覆盖由浮栅的上表面到半导体部分的第一层间绝缘膜；

一源极和一漏极，它们形成在半导体衬底中，分别由部分浮栅和选择栅覆盖；

一第2层间绝缘膜，它形成在最终获得结构的整个表面上；

一接触孔，它形成在第2层间绝缘膜中，使选择栅露出；

一控制栅，它通过接触孔和选择栅相互接触，并且保护浮栅的其它没覆盖的表面部分。

5．一种按照权利要求4的方法，其特征是所述的浮栅具有岛状类型，仅仅覆盖半导体衬底的有源区。

6．一种按照权利要求4的EEPROM，其特征是所述选择栅和控制栅沿着半导体衬底的区域纵向延伸，其中，所述选择栅设置成覆盖所述浮栅的左部，所述控制栅设置成覆盖所述选择栅的一部分。

7．一种按照权利要求4的EEPROM，其特征是构成所述第一层间绝缘膜是单层氧化膜或是多层氧化物-氮化物-氧化物膜。