[发明专利]用惰性气体混合物喷镀硅介质膜

权利要求书

1.在真空室(40)内由基本上全由非导电元素构成的标靶表面(17)向基质(19)上溅射喷镀物质的方法包含以下各步骤：

向真空室中引进组合气体：它包含至少一种能与标靶元素起反应的气体(67)，以及至少第1和第2惰性气体(63，65)的组合；

使真空室中第1惰性气体(63)的分压落在所述至少第1和第2惰性气体组合的总分压的20％-80％的范围内；

维持(由31)流进真空室中至少一种所述反应气体和至少所述的第1和第2两种惰性气体总组合的相对比例，使得系统运行在理想工作区(49)，此时真空室中所述至少一种反应气体的分压基本为零。

2.按照权利要求1的方法，其中第1惰性气体为氩。

3.按照权利要求1或2的方法，其中第2惰性气体为氦或氖。

4.按照上述任一权利要求的方法，其中所说的标靶的不导电元素为硅。

5.按照权利要求4的方法，其中气体引进步骤包括引进基本唯一的氧气作为所说的至少一种与硅起反应的气体。

6.按照上述任一权利要求的方法，其中分压形成步骤包括使第1惰性气体进入真空室的流量落在进入真空室的惰性气体组合的总流量的20％-80％的范围内。

7.按照权利要求6的方法，其中控制第1惰性气体进入真空室流量的步骤包括控制这种流量使之小于进入真空室的惰性气体组合的总流量的50％。

8.按照上述任一权利要求的方法，其中维持真空室中反应气体和惰性气体相对比例的步骤包括监测(55)真空室内等离子体的特性，以及控制流进真空室的反应气体和惰性气体的相对比例，以维持所述特性在预定的界限(49)内。

9.按照权利要求8的方法，其中监测步骤包括监测等离子体发射的一条或多条辐射谱线的强度。

10.按照权利要求8的方法，其中监测步骤包括监测施加到真空室内标靶和阳极上的电源的一个特征量。