[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 95115736.1 | 申请日： | 1995-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1076518C | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋;中山一郎;柳义弘 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/24;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体处理装置，包括：真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用电缆连至高频电源的匹配电路；通过施加高频电压至放电线圈，在真空容器内产生等离子体，从而处理基板电极上的基板；其特征在于，所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述放电线圈多重涡形相对于中心为对称的。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述放电线圈多重涡形相对于中心为非对称的。
4.如权利要求1至3中任一所述的等离子体处理装置，其特征在于，构成放电线圈中心侧的上述放电线圈导线的相邻导线的间隔比构成放电线圈周边侧导线的相邻间隔大。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述放电线圈构成立体吊钟形状。
6.一种等离子体处理装置，包括：真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用连接电缆连至高频电源的匹配电路；通过把高频电源施加至放电线圈，在真空容器内产生等离子体，从而处理基板电极上的基板；其特征在于，所述放电线圈的一部分或全部制成多重的螺旋形。
7.如权利要求1或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述放电线圈其阻抗复数表征的虚数分量是连接电缆特性阻抗的5倍以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
