[发明专利]硅片热处理的方法无效
| 申请号： | 95116613.1 | 申请日： | 1995-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1057351C | 公开（公告）日： | 2000-10-11 |
| 发明（设计）人： | Ｓ·佩洛兹;Ｌ·Ｗ·施夫 | 申请（专利权）人： | ＭＥＭＣ电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 徐汝巽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片热处理的方法，包括：
用含氢氟酸的水溶液与硅片表面接触，以从硅片表面除去金属；
用臭氧水与氢氟酸处理过的硅片接触以在硅片表面上生长亲水性氧化物层，使得热处理开始时硅片的氧化硅表层上的铁、铬、钙、钛、钴、锰、锌和钒各自的浓度小于1×109原子/cm2，和
加热用臭氧水处理过的硅片到至少约300℃的温度并至少保持约1秒钟的时间。
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