[发明专利]在金属表面沉积硅的工艺中促进硅化合物分解的方法

权利要求书

1．一种促进六甲基二硅氧烷分解的方法，其中六甲基二硅氧烷存在一个分解温度，在此温度下可以达到所设定的分解百分率，这种方法用于在金属表面沉积硅的处理工艺，此方法由以下几步构成：

设定一个六甲基二硅氧烷的目标分解百分率；

将一种有机锡化合物与上述六甲基二硅氧烷混合物，其中所述有机锡化合物为四甲基锡，其量使得混合物中锡元素与硅元素的摩尔比为0.05∶1至1.5∶1，和

在低于上述分解温度的温度下使上述混合物与所述金属表面接触，但不致于使上述六甲基二硅氧烷的分解百分率降至设定的分解百分率以下，由此在所述的金属表面沉积硅。

2．根据权利要求1的方法，其中所述混合物中锡元素与硅元素的摩尔比至少为0.2∶1。

3．根据权利要求1的方法，其中对于设定的分解百分率而言，所述六甲基二硅氧烷的分解温度与实际接触温度之间的差值至少10°F。

4．根据权利要求1的方法，其中所述的设定的分解百分率至少为20％。

5．根据权利要求1的方法，其中所述的设定的分解百分率至少为40％，并且所述六甲基二硅氧烷的分解温度与实际接触温度之间的差值至少为25°F。