[发明专利]可关断晶闸管

权利要求书

1.可关断晶闸管包括：

a)在第一个主平面(1)和第二个主平面(2)之间有一定数量不同掺杂的半导体层(6-9)；

b)在第二主平面(2)上有阳极电极(3)以及在第一主平面(1)上有阴极电极(4)和控制电极(5)；其中

c)从第二个主平面(2)看，半导体层(6-9)包括一个P⁺掺杂的阳极发射区(6)、一个n掺杂的n-基区(7)和一个P掺杂的P-基区(8)，其中阳极发射区(6)与阳极电极(3)电接触，P-基区(8)与控制电极(5)电接触，并且让n⁺掺杂的阴极发射区(9)进入P-基区(8)且阴极发射区(9)与阴极电极(4)电接触；

e)阳极发射区(6)夹杂着n⁺掺杂的阳极短路区(10)，并且

f)在n-基区(7)与阳极发射区(6)之间设置一个n掺杂的抑止层(11)，

其特征在于：

d)阳极发射区(6)制成透明发射区。

2.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于：

抑止层(11)是扩散制成的，特别是深度为20μm至40μm和边缘浓度为7*10¹⁴cm^-3。

3.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于：

抑止层(11)是外延制成的，特别是深度为20μm至40μm。

4.根据权利要求3所述的晶闸管，其特征在于：

抑止层(11)具有均匀的掺杂分布，特别是其掺杂浓度为3*10¹⁴cm^-3。

5.根据权利要求3所述晶闸管，其特征在于：

抑止层(11)的掺杂分布有两个浓度梯级，其中第一个、远离第二个主平面的浓度梯级(12)掺杂浓度较高，特别是其掺杂浓度为10¹⁵cm^-3和深度为10μm，第二个、直接与第二主平面(2)相邻的梯级(13)掺杂浓度较低，特别是其掺杂浓度低于10¹⁴cm^-3和深度为10μm。

6.根据上述权利要求之一所述晶闸管，其特征在于：

透明发射区(6)深度为1.2μm，掺杂浓度为10¹⁸cm^-3。

7.根据上述权利要求之一所述的晶闸管，其特征在于：

阳极短路区(10)具有小的直径，特别是直径为5μm至10μm。