[发明专利]薄膜形成装置及薄膜形成方法

权利要求书

1.薄膜形成装置，具有至少一个物理蒸镀装置，至少一个化学蒸镀装置，其特征是具有将所述物理蒸镀装置和化学蒸镀装置分别接到共同的排气装置的排气管和排气路切换装置。

2.薄膜形成方法，使用具备至少一个物理蒸镀装置、至少一个化学蒸镀装置、和相应共同的排气装置的薄膜形成装置来形成薄膜，其特征是通过排气路切换装置及排气管将排气装置接到上述任一个蒸镀装置上，对基材表面进行蒸镀后，通过排气路切换装置及排气管将排气装置接到另一个蒸镀装置上，再对基材表面进行蒸镀。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜形成装置及薄膜形成方法，其特征是在排气路切换装置和物理蒸镀装置之间的排气管、和排气路切换装置与化学蒸镀装置之间的排气管之中选定的至少一个排气管上设置连结部。

4.根据权利要求1-3中任一个所述的薄膜形成装置及薄膜形成方法，其特征是在物理蒸镀装置的至少一个和化学蒸镀装置的至少一个之间还接有具有至少一个开关阀的衬底移动通路，通过该衬底移动通路移动衬底的衬底移动机构接在所述物理蒸镀装置或所述化学蒸镀装置上。

5.根据权利要求4所述的薄膜形成装置及薄膜形成方法，其特征是由所述物理蒸镀装置和所述化学蒸镀装置中任一个装置将有薄膜形成于衬底上，在所述两蒸镀装置被排气状态下，通过有所述开关阀的衬底移动通路用所述衬底的衬底移动机构将所述衬底移向所述两蒸镀装置中另一个蒸镀装置以后，将薄膜形成于衬底上，使衬底不暴露在大气中而形成薄膜。

6.根据权利要求1-6中任一个所述的薄膜形成装置及薄膜形成方法，其特征是物理蒸镀装置是将拟形成薄膜材料的气体或离子凝结固化在衬底上，不伴有化学反应地形成薄膜的装置。

7.根据权利要求7所述的薄膜形成装置及薄膜形成方法，其特征是物理蒸镀装置是选自真空蒸镀、离子喷镀、溅射、离子化蒸镀、反应性离子喷镀、分子束外延的装置。

8.根据权利要求1-8中任一个所述的 薄膜形成装置和薄膜形成方法，其特征是化学蒸镀装置是将由拟形成薄膜材料的构成元素组成的化合物的气体供给到衬底上，由在气相中或衬底表面上起化学反应而形成薄膜的装置。

9.根据权利要求9所述的薄膜形成装置及薄膜形成方法，其特征是化学蒸镀装置是选自热CVD(热化学蒸气喷镀)、等离子体CVD、光CVD、MOCVD(金属有机化学蒸气喷镀)、等离子体MOCVD的装置。