[发明专利]包含至少一个电流互感器的脱扣装置无效
申请号: | 95117226.3 | 申请日: | 1995-09-29 |
公开(公告)号: | CN1052103C | 公开(公告)日: | 2000-05-03 |
发明(设计)人: | 帕斯卡尔·霍博里 | 申请(专利权)人: | 施耐德电器工业公司 |
主分类号: | H01H71/00 | 分类号: | H01H71/00;H02H3/08;H01F29/14;H01F30/08 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 马莹 |
地址: | 法国布洛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 至少 一个 电流 互感器 装置 | ||
1.一种脱扣装置,包含:
至少一个电流互感器(4a、4b、4c),其耦合连接到需保护的电路(1)的导体(13)上,在导体中流有一次电流(IP),该互感器包含一环绕需保护的电路的导体的主磁路(10),以及至少一个二次绕组(11、12),主磁路的一部分(14)构成二次绕组(11)的磁芯,以及
一处理单元(25),其连接到所述电流互感器二次绕组,
其特征在于,该互感器包含一磁分路(15),其连接到构成二次绕组磁芯的主磁路的一部分(14)中,该磁分路(15)包含一个完整的或局部地降低所述磁分路的横断面的局部气隙(16)。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,该磁分路位于在一次回路导体(13)和二次绕组(11)之间。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,气隙(16)沿着其深度方向的厚度是可变的。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,接近气隙的磁分路(15)的横截面大于在二次绕组的主磁路的一部分(14)处的磁路的横截面。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,气隙(16)位于磁分路(15)的中间。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,气隙(16)位于磁分路(15)和主磁路(10)之间。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,磁分路(15)和主磁路(10)形成一单一元件。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述脱扣装置还包含一连接到处理单元(25)的供电电路(5)上的电流互感器(4a、4b、4c),以及连接到处理单元的测量电路(6)上的电流测量传感器(8a、8b、8c、26),电流互感器耦合连接该在同一需保护电路的同一导体(13)上的电流测量传感器(8a、8b、8c、26)。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,该电流测量传感器(8a、8b、8c、26)是罗科斯基线圈。
10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,至少一个二次绕组包含一个电磁屏蔽罩(27)。
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