[发明专利]制作非易失性存储器的方法

权利要求书

1.一种制作非易失性存储器的方法，包括以下步骤：

依次在硅衬底上形成场氧化膜，隧道氧化膜，第一多晶硅层和中间绝缘层；

用浮栅极掩模和蚀刻法第一次蚀刻所述第一多晶硅层；

由杂质离子注入法形成位线；

由氧化方法在沿源极接点侧面通过的所述位线上形成厚氧化膜；

在所述处理后产生的全部构造上形成第二多晶硅层；

用控制栅极掩模和蚀刻法蚀刻所述第二多晶硅层，由此沿所述位线两侧形成控制栅极，互连位于所述位线上方的所述控制栅极；    

由自对准蚀刻方法第二次蚀刻所述第一多晶硅层，由此形成浮栅极；

由杂质注入法形成虚拟地线；

在所述控制栅极上形成绝缘膜，然后由氧化方法形成选择栅极氧化膜；

在所述处理后产生的全部构造上形成第三多晶硅层，然后用选择栅极掩模和蚀刻法蚀刻所述第三多晶硅层，由此形成选择栅极。