[发明专利]相移掩模及其制造方法无效

专利信息
申请号: 95118255.2 申请日: 1995-10-12
公开(公告)号: CN1041974C 公开(公告)日: 1999-02-03
发明(设计)人: 裵相满 申请(专利权)人: 现代电子产业株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/027
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 余朦
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 相移 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种相移掩模,具有一石英衬底,涂覆于石英衬底上的铬图形,以及覆盖在石英衬底和铬图形上的相移材料图形,其特征在于:

所述石英衬底设有多个凹槽;

所述铬图形涂覆在各凹槽和每隔一个位于两个凹槽之间的那部分石英衬底上;以及

所述相移材料图形覆盖在未被铬图形覆盖的那部分石英衬底上,该相移材料图形与位于未被铬图形覆盖的那部分石英衬底的相对两侧的铬图形重叠。

2.根据权利要求1的相移掩模,其中的各凹槽的深度与铬图形的厚度相等。

3.一种制造相移掩模的方法,它包括以下各步骤:

制备一块石英衬底,然后使用一掩模刻蚀石英衬底,因而形成多个凹槽;

在石英衬底上淀积一层铬,使铬层填入凹槽,然后使用另一掩模刻蚀铬层的预定部分,因而形成与各凹槽和每隔一个位于两个相邻凹槽之间那部分石英衬底相重叠的铬图形;以及

在铬图形形成后所得到结构上涂镀一层相移材料,然后使用另一掩模刻蚀该相移材料层,因而形成一相移材料图形,该相移材料图形在相移区具有均匀的厚度。

4.根据权利要求3的方法,其中的形成凹槽的步骤是采用反应离子工艺而完成的。

5.根据权利要求3的方法,其中的凹槽深度等于铬图形的厚度。

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