[发明专利]互补金属氧化物半导体集成电路的静电放电防护电路无效
| 申请号： | 95118276.5 | 申请日： | 1995-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1053067C | 公开（公告）日： | 2000-05-31 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;吴添祥 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/092;H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐娴 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 集成电路 静电 放电 防护 电路 | ||
1、一种互补金属氧化物半导体集成电路的静电放电防护电路，该电路具有一负电压源VSS及一正电压源VDD，其特征在于，其包括：
一个第一厚氧化层元件，连接在输入级与负电压源之间，用来旁通一种极性的ESD放电电流；
一个第二厚氧化层元件，连接在正电压源与输入级之间，用来旁通另一种极性的ESD放电电流；
一个第一薄氧化层元件，连接在负电压源与输入级之间，用来旁通一种极性的ESD放电电流，且箝制在输入级上正的ESD电压准位到一个预定的正值；
一个二极管，连接在输入级与正电压源之间，用来旁通ESD放电电流；
一个第二薄氧化层元件，连接在输入级与正电压源之间，用来旁通另一种极性的ESD放电电流，且箝制在输入级上负的ESD电压准位到一个预定的负值；
一连接在输入焊盘与输入级之间的一电阻。
2、根据权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于，还包括一个二极管，连接在输入级的输入端与正电压源之间。
3、根据权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述电阻是一个扩散层电阻。
4、根据权利要求2所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述扩散层电阻、所述第一及第二厚氧化层元件以及所述第一与第二薄氧化层元件都是P型元件。
5、根据权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于，还包括一个二极管，其寄生在P型扩散层与N型衬底之间，连接在所述输入焊盘与第二参考电压源之间。
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